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一粒金砂(初级)

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MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备 [复制链接]

东芝两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(Si) IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能应用

- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 电机控制设备
- 高频DC-DC转换器

特性

- 安装方式兼容Si IGBT模块
- 损耗低于Si IGBT模块  
-       MG600Q2YMS3  
     VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25°C  
     Eon=25mJ(典型值) Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V,ID=600A,Tch=150°C MG400V2YMS3  
     VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25°C  
     Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150°C
- 内置NTC热敏电阻


 

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