maychang

呜呼哀哉 发表于 2024-12-16 20:12 版主，为了验证这个，我用电阻负载测试，即使放到5Ω，10A的电流，也看不到漏极电压下降的平台。 ...

【(Vgs-Vth)*Gfs*RL吗？】

电压放大倍数，肯定与输入信号的大小无关，所以必与 (Vgs-Vth) 无关。

呜呼哀哉

maychang 发表于 2024-12-16 20:54 【(Vgs-Vth)*Gfs*RL吗？】 电压放大倍数，肯定与输入信号的大小无关，所以必与 (Vgs-Vth) 无关。

估计问题差不多想明白了，MOS管漏极电压下降过程就是米勒 平台区域。

如下图，我尝试了R,L，C(并电阻)仿出来的结果大都这样。

前面那个MOS管软开电路，MOS管的漏极电压有一段平的，应该是后级电路启动，导致电流从这部分流过，漏极上的电容电压没能抬升。

 

 

maychang

呜呼哀哉 发表于 2024-12-20 17:06 估计问题差不多想明白了，MOS管漏极电压下降过程就是米勒 平台区域。 如下图，我尝试了R,L，C(并电阻) ...

【问题差不多想明白了，MOS管漏极电压下降过程就是米勒 平台区域。】

对的，正是如此。

呜呼哀哉

maychang 发表于 2024-12-20 17:10 【问题差不多想明白了，MOS管漏极电压下降过程就是米勒 平台区域。】 对的，正是如此。

感谢版主耐心解答，谢谢。

maychang

呜呼哀哉 发表于 2024-12-20 17:59 感谢版主耐心解答，谢谢。

进一步思考，米勒平台（或者说米勒效应）只会出现于反相放大器。反相放大器的电压放大倍数使得输出端与反相输入端之间的电容（可能是分布电容）放大了同样的倍数。

那么，用运放构成的积分器恰好就是一个反相放大器，输出端与反相输入端之间还联接了一个电容。所以，运放构成的积分器特性实际上也就是米勒效应的体现。

硬件萌新小白

实际上是可以看到的，通过增大栅极电阻Rg和栅极电容Cgs可以增大米勒平台的持续时间，但是我仿真不出来Vsg不变且Id不变的情况

   

呜呼哀哉

硬件萌新小白 发表于 2024-12-29 18:16 实际上是可以看到的，通过增大栅极电阻Rg和栅极电容Cgs可以增大米勒平台的持续时间，但是我仿真不出来Vsg不 ...

你这个蓝色的是VGS波形，米勒平台平的那段可以看到，但是平并不是真正的水平，所以呢VGS电压还是上升的，所以Id也要变大，这是我现在的理解。

另外，我折腾了那么久还有几个仿真并没能指导的，一个是不同性质的负载，电压电流波形应该完全不一样。特别是感性负载，这个是MOS作为开关器件用的最多的。

maychang

硬件萌新小白 发表于 2024-12-29 18:16 实际上是可以看到的，通过增大栅极电阻Rg和栅极电容Cgs可以增大米勒平台的持续时间，但是我仿真不出来Vsg不 ...

【我仿真不出来Vsg不变且Id不变的情况】

漏极电流不变，米勒效应就不存在了。

lkh747566933

这个应该是和仿真用的器件参数有关吧，我也想知道，学习一下