锐骏半导体代理RU20C10H 20V/10A SOP8 低内阻12mΩ N+P沟道功率MOS

YCM888

锐骏半导体代理RU20C10H 20V/10A SOP8 低内阻12mΩ N+P沟道功率MOS [复制链接]

锐骏半导体推出采用SOP-8封装的N沟道和P沟道互补型高级功率MOSFET RU20C10H，器件坚固可靠，无铅，绿色环保并符合RoHS标准，适用于负载开关应用领域。

产品特性：

• N沟道：

漏源电压最大额定值20V，持续漏极电流最大额定值为10A

R_DS(ON)=12mΩ(典型值)@V_GS=4.5V

R_DS(ON)=15mΩ(典型值)@V_GS=2.5V

• P沟道：

漏源电压最大额定值-20V，持续漏极电流最大额定值为-10A

R_DS(ON)=20mΩ(典型值)@V_GS=-4.5V

R_DS(ON)=30mΩ(典型值)@V_GS=-2.5V

• 器件坚固可靠

• 器件无铅和绿色环保（符合RoHS标准）

器件应用领域

• 负载开关

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