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纯净的硅(初级)

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请教下面的电路控制原理是什么? [复制链接]

本帖最后由 Knight97538 于 2024-12-9 09:22 编辑

请教下面的电路控制原理是什么?如果VCC_USB 电压高时, Z1会击穿吗

 

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稳压管就是要反接才起作用。只要参数设计合理没问题  详情 回复 发表于 7 天前
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五彩晶圆(中级)

沙发
 

请教下面的电路控制原理是什么?------这个电路的原理是VCC_USB超过5V,关闭输出。5V的时候导通。

如果VCC_USB 电压高时, Z1会击穿吗-----不能用击穿这个词,而是导通电流。

 

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【如果VCC_USB 电压高时, Z1会击穿吗】

会。

Z1击穿后,Q1饱和导通,Q2截止,Q3也截止,VCC_IP5513失电。

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纯净的硅(高级)

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过压保护, USB_VCC 过高,则断开输出VCC_IP5513

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一粒金砂(初级)

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会击穿,但不会坏
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稳压管工作在在反向击穿区  详情 回复 发表于 2024-12-9 21:46
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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电路控制原理分析:  该电路的核心功能很可能是过压保护或电压检测控制。从图中可以看到:  左侧是VCC_USB输入电压。 Z1为一个稳压管(如BZT52C5V1,标称稳压值约5.1V左右)。 Q1和Q2为NPN小信号管(如MMBT3904),Q3则是MOSFET(如SI2301,一般为P沟道MOS管,用作高边开关)。 电阻R10、R11、R12、R13构成偏置及分压电阻网络,用来给晶体管基极和MOSFET栅极提供一定的控制信号。 整个电路大致工作原理可能如下:  正常电压下(VCC_USB约5V): 当VCC_USB在正常USB电压范围内(如5V左右)时,Z1(5.1V稳压管)不会导通(击穿)或其漏电极小,基本相当于不对电路有明显影响。此时Q1、Q2的偏置由分压电阻和输入电压决定,它们会以某种方式保证Q3(P沟道MOS)导通,让输出端(VCC_IP5513)获得接近输入的电压。此状态下电路相当于一个正常的电源传输路径。  过压条件下(VCC_USB > 5.1V): 当VCC_USB超过Z1的稳压值(约5.1V)时,Z1开始进入齐纳击穿区并导通,向下拉Q1和Q2的基极或改变电流分布,使得Q1或Q2的状态发生翻转。这一翻转会导致Q3的栅极电位相对于源极发生明显变化,从而使Q3关断,切断输出电压对下游负载(如IP5513芯片)的供电。这样一来,就实现了对后级电路的过压保护。  简而言之,该电路是利用Z1稳压管的击穿电压作为门槛值。当输入VCC_USB正常时,Z1不击穿,电路让P沟道MOS(Q3)保持导通;而一旦VCC_USB超过Z1的击穿电压,Z1产生导通,使晶体管级联电路翻转控制信号,从而关断Q3,保护下游线路不受到过高电压的影响。  关于Z1是否会击穿:  Z1的作用就是当VCC_USB超过其稳定电压(典型为5.1V)时进入齐纳击穿区域。正常USB电压5V是低于Z1的稳压值的,故正常情况下Z1并不真正击穿或其电流极小,起不到显著作用。 当VCC_USB升高到接近或超过5.1V时,Z1才会击穿并导通,从而改变电路中Q1/Q2的工作点,最终关断Q3。 因此,如果VCC_USB一直在5V左右,Z1基本不会进入稳压区,只有当VCC_USB异常升高(如超过5.1V)时,Z1才会真正“击穿”导通。
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怎么会分析出这么 是这样么  详情 回复 发表于 5 天前
 
 
 

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典型的过压保护电路,((VCC_USB电压 - 5.1V)* 6.8 / 9.8 )  > 0.7V(Q1 Vbe) 时,Q2关断,Q3关断,从而VCC_IP5513没有输出电压。
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一粒金砂(高级)

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付相超 发表于 2024-12-9 14:30 会击穿,但不会坏

稳压管工作在在反向击穿区

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个人签名每天一个小目标......
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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稳压管就是要反接才起作用。只要参数设计合理没问题
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纯净的硅(初级)

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pcbdog 发表于 2024-12-9 15:04 电路控制原理分析: 该电路的核心功能很可能是过压保护或电压检测控制。从图中可以看到: 左侧是VCC_USB ...

怎么会分析出这么

是这样么

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