IGBT 晶体：IKQ50N120CH7XKSA1，IKW08N120CS7XKSA1，IKQ75N120CH7XKSA1

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IGBT 晶体：IKQ50N120CH7XKSA1，IKW08N120CS7XKSA1，IKQ75N120CH7XKSA1 [复制链接]

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电子集成电路 IKQ50N120CH7XKSA1 1200V 71A 晶体管

产品描述
IKQ50N120CH7XKSA1 具有平滑的开关特性、极低的 VCE(sat)（1.30V（典型值））和非常紧密的参数分布。

特点
短路稳健
非常紧密的参数分布
低栅极电荷 QG
与快速软恢复发射极控制 3 二极管共同封装

IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT 沟道现场止动通孔

产品描述
IKW08N120CS7XKSA1 器件具有低栅极电荷 QG，与由 3 个二极管控制的快速软恢复发射极共同封装。

特性
增加应用中的过压裕量
减少所需的并联器件数量
简单的栅极驱动设计

IKQ75N120CH7XKSA1 单 IGBT 1200V 82A 通孔晶体管

产品描述
IKQ75N120CH7XKSA1 IGBT 具有非常紧凑的参数分布和 1 至 20kHz 的工作范围。

特点
工作频率范围为 1 至 20kHz
最高结温 150°C
短路能力为 3µs
防潮设计
无铅电镀；符合 RoHS 规范