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一粒金砂(中级)

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移相全桥dcdc启动或者升降功率时怎么防止炸机? [复制链接]

 
 

目的:因为制造工艺等原因,想通过测试和增加保护的方式,将电源炸机的可能变成0,即使电源本身器件出现异常,也不能使其发生炸机。目前电源上只做了简单的电压电流采样和软件保护,有非常快速响应的硬件保护电路或者测试方案推荐吗?

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电路板能烧起来,这要多大的电流和多长的短路时间。 电路里面增加保险管,电流大就可以烧断而起到保护作用。 整流电路里面有大电容,电路刚通电时,因电容的充电电流大可以串联负温度系数的热敏电阻, 电路里面是可以有很多的保护措施,不会电路板起火的。     详情 回复 发表于 2024-11-16 23:19
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沙发
 

【有非常快速响应的硬件保护电路或者测试方案推荐吗?】

有。但价格和复杂程度可能比你的移相全桥要高得多。

你的移相全桥之所以炸机,恐怕还是设计不合理,或元器件质量有问题。

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感谢分析回复!这是个双向电源,炸机有两种情况:1.buck/boost炸机都是炸的高压侧超前臂的上下管;2.boost模式会烧低压侧管子和电路板,直接是燃烧了。不知道该怎么找原因。  详情 回复 发表于 2024-11-11 12:49
 
 
 

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一粒金砂(高级)

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全桥炸机,不就是上下臂直通了么?要避免上下臂直通,很难吗?

 
 
 

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chineseboyzxy 发表于 2024-11-11 11:26 全桥炸机,不就是上下臂直通了么?要避免上下臂直通,很难吗?

谢谢回复!炸机的现象是上下臂直通了,而且buck/boost模式下,启动炸机较多,且炸的总是高压初级管子,还有的是在升降功率的时候炸管,都是炸的高压初级。

 
 
 

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一粒金砂(中级)

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maychang 发表于 2024-11-11 09:33 【有非常快速响应的硬件保护电路或者测试方案推荐吗?】 有。但价格和复杂程度可能比你的移相全桥要高得 ...

感谢分析回复!这是个双向电源,炸机有两种情况:1.buck/boost炸机都是炸的高压侧超前臂的上下管;2.boost模式会烧低压侧管子和电路板,直接是燃烧了。不知道该怎么找原因。

 
 
 

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高压差分探头同时抓上桥和下桥的栅极驱动信号,看看死区时间,感觉就是上下桥同时导通了

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好的。我这种情况不是所有的都炸,是不是死区不足了  详情 回复 发表于 2024-11-11 17:00
 
 
 

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beyond_笑谈 发表于 2024-11-11 16:11 高压差分探头同时抓上桥和下桥的栅极驱动信号,看看死区时间,感觉就是上下桥同时导通了

好的。我这种情况不是所有的都炸,是不是死区不足了

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死区不足是可能性之一,MOSFET下管随着温度升高提前导通也有可能的。  详情 回复 发表于 2024-11-11 17:22
 
 
 

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DKandDK 发表于 2024-11-11 17:00 好的。我这种情况不是所有的都炸,是不是死区不足了

死区不足是可能性之一,MOSFET下管随着温度升高提前导通也有可能的。

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为什么下管随温度上升会提前导通?  详情 回复 发表于 2024-11-11 17:25
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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beyond_笑谈 发表于 2024-11-11 17:22 死区不足是可能性之一,MOSFET下管随着温度升高提前导通也有可能的。

为什么下管随温度上升会提前导通?

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增强型MOSFET的阀值电压随着温度升高会降低。如果死区时间不够,或者上管关断的太慢,都有可能上下管同时导通  详情 回复 发表于 2024-11-11 17:31
 
 
 

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DKandDK 发表于 2024-11-11 17:25 为什么下管随温度上升会提前导通?

增强型MOSFET的阀值电压随着温度升高会降低。如果死区时间不够,或者上管关断的太慢,都有可能上下管同时导通

 
 
 

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炸机后分析大概 的重点是哪些部分

快速响应的硬件保护电路必须是要有的
还有严格的测试,进行EMI测试,拿着测试参数才能发现问题所在

然后才能增加改进
 

 

 
 
 

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纯净的硅(中级)

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电路板能烧起来,这要多大的电流和多长的短路时间。

电路里面增加保险管,电流大就可以烧断而起到保护作用。

整流电路里面有大电容,电路刚通电时,因电容的充电电流大可以串联负温度系数的热敏电阻,

电路里面是可以有很多的保护措施,不会电路板起火的。

 

 
 
 

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