老师帮忙看看我下面的电路有什么问题吗？

小太阳yy

老师帮忙看看我下面的电路有什么问题吗？ [复制链接]

 

 

 

该电路的模拟的是5V的电如果存在，恒流源就能导通，如果V2的5V不在了，那恒流源就切断了，该电路有问题吗 ？

maychang

5V电压由R3和R2分压，差不多仍为5V。5V减去U2开启电压是R1两端电压，该电压未必能够使U1导通，即R1两端电压可能小于U1开启电压。

maychang

【如果V2的5V不在了，那恒流源就切断了】

恒流源两端电压不定，允许两端短路但不允许开路，因为理想恒流源开路时两端电压无穷大。你的意思，好像是要用U1切断恒流源，对理想恒流源那是绝对不允许的。

实际恒流源当然有最大输出电压。你的U1管子耐压大于你的实际恒流源，那么可以用MOS管控制恒流源输出。

控制恒流源输出不必使用两个MOS管，一个就够了。仅使用一个MOS管，不会出现2楼我所说情况。不过，若要使U1充分导通，5V仍可能不够，可能需要8~10V才行。

小太阳yy

maychang 发表于 2024-10-18 20:17 【如果V2的5V不在了，那恒流源就切断了】 恒流源两端电压不定，允许两端短路但不允许开路，因为理想恒流 ...

5V是可以导通的，应用逻辑电平的MOS，我也感觉没有必要用两个MOS,用一个MOS就可以了，但存在一个问题，那就是我的5V 给MOS G极的电压是不在一个PCB板子上的，是在两个板子上，

如下如所示，我在想怎么增强一个这个MOS的G端的控制电平的驱动能力，使它不容易受干扰

红色的线我感觉容易受干扰，怎么增强它的抗干扰能力呢

 

 

 

小太阳yy

maychang 发表于 2024-10-18 20:11 5V电压由R3和R2分压，差不多仍为5V。5V减去U2开启电压是R1两端电压，该电压未必能够使U1导通，即R1两端电压 ...

老师参考一下，下图中的Vth

 

maychang

小太阳yy 发表于 2024-10-18 21:07 老师参考一下，下图中的Vth  

不错，该管开启电压在25摄氏度下漏极电流为1mA时最大2.1V。但是此时漏极电流仅1mA。要让漏极电流达到5A甚至更大，那么GS之间电压必须更高。该表最下面几行的测试条件表明：要想让漏极源极之间电阻小到数十毫欧，GS之间电压需要达到5V甚至10V。漏极电流增量与GS之间电压增量之比，叫跨导（标准化未列出，可能在表外），单位西门子（S）。

maychang

小太阳yy 发表于 2024-10-18 21:06 5V是可以导通的，应用逻辑电平的MOS，我也感觉没有必要用两个MOS,用一个MOS就可以了，但存在一个问题，那 ...

【红色的线我感觉容易受干扰，怎么增强它的抗干扰能力呢】

在G与S之间接一个电容，把干扰旁路到地。

maychang

小太阳yy 发表于 2024-10-18 21:07 老师参考一下，下图中的Vth  

你的管子，漏极源极之间耐压60V。如果恒流源最大输出电压大于60V，则不能用这种方法将恒流源关断。

小太阳yy

maychang 发表于 2024-10-18 21:37 【红色的线我感觉容易受干扰，怎么增强它的抗干扰能力呢】 在G与S之间接一个电容，把干扰旁路到地。

如果我左边的板子电阻R1值如果过大的话，是不是驱动能力就更弱了，有可能驱动不起来吗？

R1的阻值是15k ，这个是固定的 没办法修改的，我用两级MOS驱动，跟用一级MOS，还有啥别的区别不？

maychang

小太阳yy 发表于 2024-10-19 08:45 如果我左边的板子电阻R1值如果过大的话，是不是驱动能力就更弱了，有可能驱动不起来吗？ R1的阻值是15 ...

【如果我左边的板子电阻R1值如果过大的话，是不是驱动能力就更弱了，有可能驱动不起来吗】

R1过大，当然有可能“驱动不起来”。

maychang

小太阳yy 发表于 2024-10-19 08:45 如果我左边的板子电阻R1值如果过大的话，是不是驱动能力就更弱了，有可能驱动不起来吗？ R1的阻值是15 ...

【R1的阻值是15k ，这个是固定的 没办法修改的】

增加MOS管GS之间的电阻数值，可以增加到兆欧级。

maychang

小太阳yy 发表于 2024-10-19 08:45 如果我左边的板子电阻R1值如果过大的话，是不是驱动能力就更弱了，有可能驱动不起来吗？ R1的阻值是15 ...

【我用两级MOS驱动，跟用一级MOS，还有啥别的区别不？】

两级MOS成本更高。

小太阳yy

maychang 发表于 2024-10-19 10:05 【我用两级MOS驱动，跟用一级MOS，还有啥别的区别不？】 两级MOS成本更高。

我能想到的之所以会考虑两级MOS的情况，只有在驱动电平不够的情况下，比如恒流回路上的MOS驱动电平高，5V驱动不起来，所以用5V驱动信号MOS

小太阳yy

maychang 发表于 2024-10-19 10:04 【R1的阻值是15k ，这个是固定的 没办法修改的】 增加MOS管GS之间的电阻数值，可以增加到兆欧级。

这种两级NMOS的驱动设计我认为存在风险，因为电阻R1的值会影响两个MOS的导通电压，电阻R1的值高了，U1更容易完全导通，低了U2更容易完全导通，这两个是完全反着的，如果非要这么用，是不是可以把U2换成Pmos,当然成本会更高了

maychang

小太阳yy 发表于 2024-10-19 16:47 我能想到的之所以会考虑两级MOS的情况，只有在驱动电平不够的情况下，比如恒流回路上的MOS驱动电平高，5V ...

你的两级驱动，第一级是源极输出，所以两级所需要的驱动电压大于两个MOS管开启电压之和。若是只用一级，那么驱动电压只需要大于这一级MOS管开启电压。所以如果怕驱动电压不够，更要考虑使用一级。

maychang

小太阳yy 发表于 2024-10-19 16:49 这种两级NMOS的驱动设计我认为存在风险，因为电阻R1的值会影响两个MOS的导通电压，电阻R1的值高了，U1更 ...

【如果非要这么用，是不是可以把U2换成Pmos,当然成本会更高了】

根本就不应该使用两级MOS管。