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国产安路FPGA SD NAND FLASH 初步描述 [复制链接]

说起SD NAND FLASH常被联想到SD卡,SD NAND FLASH具备当前SD卡的基本功能,并具有更高的存储密度,更小的体积,通过芯片形式焊接在电路中稳定可靠,在电路中高度集成可SMT机贴片等优点。这一节我们主要是介绍一下SD NAND FLASH,该应用实例的SD NAND FLASH采用深圳市雷龙发展有限公司的CSNP1GCR01-AOW型号的存储芯片,雷龙发展在SD NAND FLASH中已经有多年的深厚研发经验和严格的测试流程。

 

一、SD NAND FLASH芯片简介

 

CSNP1GCR01-AOW是基于NAND FLASH 和SD 控制器的1Gb容量空间的存储芯片。比传统的NAND FLASH具有还有坏块管理,数据ECC功能和异常掉电保证数据安全存储等功能。封装尺寸为8mm x 6mm x0.75mm。

 

产品特点:

 

接口:具备1线或者4线SD标准2.0版本

 

供电:Vcc = 2.7V - 3.6V

默认模式:可变的时钟范围0~25MHz,高达12.5MB/s的接口速度(使用4线)

 

高速模式:可变的时钟范围0~50MHz,高达25MB/s的接口速度(使用4线)

 

工作温度范围:-40°C to +85°C

 

存储温度范围:-55°C to +125°C

标准电流:< 250uA

开关功能命令支持高速,商务和未来的一些功能

 

矫正存储区域的错误

 

内容保护机制兼容最安全的SDMI标准

 

支持SD NAND密码保护功能

 

使用机械开关进行写保护功能

 

内置写保护功能(永久和临时)

 

通用场景

应用程序特定命令

 

舒适擦除机制

 

通过下图的功能框图可以理解,SD NAND FLASH是通过Memory core来进行存储数据的,通过SD控制进行通讯接口的控制和存储的管理。

 

 

 

外部引脚位置和定义如下图所示:

 

 

 

机械尺寸如下图所示:

 

 

 

 

 

 

二、总结

 

本节主要介绍了SD NAND FLASH的基本功能特性,引脚定义和外形的机械尺寸,通过这个基本的描述可以对SD NAND FLASH有个初步的了解。下一节主要介绍,SD NAND FLASH的初始化过程。

 

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