这两部分电路什么作用？没看懂。第二个是电池回路保护电路？控制B-和GND的导通或者...

QWE4562009

这两部分电路什么作用？没看懂。第二个是电池回路保护电路？控制B-和GND的导通或者... [复制链接]

 

这两部分电路什么作用？没看懂。第二个是电池回路保护电路？控制B-和GND的导通或者断开？

 

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哪个知道的 帮忙指导一下哈

davidzhu210

左侧图是带过压保护的电源电路。

ACC为高电平->三极管Q4导通->Q4集电极低电平->R26/R5的分压值为TR1提供栅极电压->TR1导通->BAT+通过TR1为右侧负载提供12V电压。此时稳压管Z1截止，Q2/Q3基极无偏压，因而截止。

过压情况下，BAT+升高->Z1导通->有电流经过R3,Z1,R4。如果R3两端压降超过0.6V，Q2导通->TR1栅极电压升高->TR1导通能力降低甚至截止，保护了负载。此时Q3也导通->Q1基极获得偏压导通->VGS变低（原为高阻态），可作为过载信号发送到单片机。

Q2导通时BAT+的电压为：0.6+24+0.6/R3*R4=25V。也就是说，当BAT+超过25V时，启动过压保护。

稳压管Z2确保TR1栅源电压不超过12V，起到保护TR1的作用。

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右侧为空心地（三个竖杠）和实心地（实心三角形）的定义。

正常工作时：

1）VGS悬空->TR3栅极获得偏压导通->空心地与实心地同电位；

2）VGS悬空->TR4栅极获得偏压导通->BAT-与实心地同电位(电流方向为源极到漏极)

BAT+过压时，VGS变为低电平->TR3截止，将空心地与实心地断开；同时TR4也截止，但是因为TR4存在体二极管，电流仍可通过实心地回流到BAT-。此时实心地的电位比BAT-高0.7V->Q4导通能力减弱，进一步促进TR1关闭。

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谢谢 我看下  

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davidzhu210 发表于 2024-10-11 11:46 左侧图是带过压保护的电源电路。 ACC为高电平->三极管Q4导通->Q4集电极低电平->R26/R5的分压值为T ...

非常感谢指导

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davidzhu210 发表于 2024-10-11 11:46 左侧图是带过压保护的电源电路。 ACC为高电平->三极管Q4导通->Q4集电极低电平->R26/R5的分压值为T ...

朱工  你功力深厚  

QWE4562009

R26/R5的分压值为TR1提供栅极电压-----ACC高电平的时候  TR1不应该是截止的吗 

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QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:02 R26/R5的分压值为TR1提供栅极电压-----ACC高电平的时候  TR1不应该是截止的吗 

因为ACC为高电平->三极管Q4导通，那分压也是高电平啊  那TR1不是截止才对吗

davidzhu210

QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:02 R26/R5的分压值为TR1提供栅极电压-----ACC高电平的时候  TR1不应该是截止的吗 

TR1为PMOS。Q4导通->TR1栅极电压降低->VGS大约为-7.5V, TR1导通（PMOS）

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davidzhu210 发表于 2024-10-11 11:46 左侧图是带过压保护的电源电路。 ACC为高电平->三极管Q4导通->Q4集电极低电平->R26/R5的分压值为T ...

朱工  感觉你参与了这个项目一样  NB了  我加下你VX 给你发个红包  那么耐心的指导  谢谢 

QWE4562009

davidzhu210 发表于 2024-10-11 16:07 TR1为PMOS。Q4导通->TR1栅极电压降低->VGS大约为-7.5V, TR1导通（PMOS）

Q2导通时BAT+的电压为：0.6+24+0.6/R3*R4=25V--------0.6/R3*R4这个是R4的分压吗？没看懂

QWE4562009

davidzhu210 发表于 2024-10-11 16:07 TR1为PMOS。Q4导通->TR1栅极电压降低->VGS大约为-7.5V, TR1导通（PMOS）

稳压管Z2确保TR1栅源电压不超过12V，起到保护TR1的作用-----是Z2和R5构成了TR1的过压保护电路吗 

davidzhu210

QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:14 朱工  感觉你参与了这个项目一样  NB了  我加下你VX 给你发个红包  那么耐心的指导& ...

davidzhu210

davidzhu210

QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:26 Q2导通时BAT+的电压为：0.6+24+0.6/R3*R4=25V--------0.6/R3*R4这个是R4的分压吗？没看懂

0.6/R3*R4=0.6/33*20=0.36V，是R4上的压降。

Z1的压降=24V，R3的压降=0.6V，总压降=0.36+24+0.6=24.96V

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davidzhu210 发表于 2024-10-11 11:46 左侧图是带过压保护的电源电路。 ACC为高电平->三极管Q4导通->Q4集电极低电平->R26/R5的分压值为T ...

右侧为空心地（三个竖杠）和实心地（实心三角形），还有一个B-  感觉有点蒙圈了 为啥要用两个MOS控制地回路呢 

davidzhu210

QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:29 稳压管Z2确保TR1栅源电压不超过12V，起到保护TR1的作用-----是Z2和R5构成了TR1的过压保护电路吗 

R5为Z2提供了电流通路，实际起保护作用的是Z2。

QWE4562009

davidzhu210 发表于 2024-10-11 16:07 TR1为PMOS。Q4导通->TR1栅极电压降低->VGS大约为-7.5V, TR1导通（PMOS）

此时实心地的电位比BAT-高0.7V->Q4导通能力减弱，进一步促进TR1关闭。----促进这个词语用的好，动态。为啥，实心地的电位比BAT-高0.7V->Q4导通能力就会减弱

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davidzhu210 发表于 2024-10-11 11:46 左侧图是带过压保护的电源电路。 ACC为高电平->三极管Q4导通->Q4集电极低电平->R26/R5的分压值为T ...

此时实心地的电位比BAT-高0.7V->Q4导通能力减弱，这个和Q4怎么关联起来的  没看懂  朱工

davidzhu210

QWE4562009 发表于 2024-10-11 16:39 右侧为空心地（三个竖杠）和实心地（实心三角形），还有一个B-  感觉有点蒙圈了 为啥要用两个MOS控 ...

这个我也不太理解，可能要结合电路其它部分分析，主要看这两个地咋用

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davidzhu210 发表于 2024-10-11 16:44 这个我也不太理解，可能要结合电路其它部分分析，主要看这两个地咋用

以上还有几个问题  帮忙回复一下 朱工  我加下你VX 或者你加我的 谢谢13六918四 2妖70