ADAMANT砹德曼带电源MOS

HH0009

ADAMANT砹德曼带电源MOS [复制链接]

实现快速、平稳、高效的电源管理及电能转换。

通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。

同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；

应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品，其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。

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MOSFET 在适配器中的典型应用

重点推荐物料

应用	Item	Package	Type	VDSS(V)	ID(A)	RDS(mohm)VGS=10V
同步整流	AD100N60D5	PDFN5060-8	N	100	60	8.5
同步整流	AD100N70T2	TO220	N	100	70	9.5
同步整流	AD100N75D5	PDFN5060-8	N	100	75	6.4
同步整流	AD100N80T2	TO220	N	100	80	7.6
同步整流	AD100N70D5	PDFN5060-8	N	100	70	4.6
同步整流	AD100N145T2	TO220	N	100	145	3.8
同步整流	AD150N80T2	TO220FL	N	150	80	10.5
同步整流	AD150N160T2	TO220FL	N	150	160	5.3
DC/DC	AD40N40D3	PDFN3333-8	N	40	40	5.5
DC/DC	AD40N70D5	PDFN5060-8	N	40	70	5.5
DC/DC	AD30N80D5	PDFN5060-8	N	30	80	1.4
VBUS	AD30K35D3	PDFN3333-8	N+N	30	35	9.4
VBUS	AD30P47D3	PDFN3333-8	P	30	47	7.1

 

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