供应-锐骏200V低压和600V高压MOS对于电机控制和电源管理方案

HH0009

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电机控制

锐骏Super Trench MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）， 配合先进的封装技术，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。

 

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锐骏Super Trench MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）， 配合先进的封装技术，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。

产品类型：Trench MOS（低压）

产品简介：沟槽型工艺，适用于200V以下低压领域，大电流、大串数等应用场景。

应用场景：锂电保护；电动车、平衡车无刷电机；电子烟等。

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产品类型：SGT MOS（中低压）

产品简介：屏蔽栅沟槽型工艺，内阻低、开关速度快，适用于中低压小串数应用场景。

应用场景：家电电机；PD快充、多口USB、反激式电源等。

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产品类型：Super Junction MOS（高压）

产品简介：高压超结工艺，效率更高、更可靠，适用于600V以上高压应用领域，行业前沿拓展产品。

应用场景：PC电源开关、电池、逆变器等。

 

此为RU15P12C的部分参数 可无偿分享

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