eSATA接口静电放电防护方案

涛意隆

eSATA接口静电放电防护方案 [复制链接]

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2024-8-20 17:39 上传

 

 

引脚	名称	功能
1	GND	地线
2	A+	数据发送+
3	A-	数据发送-
4	GND	地线
5	B-	数据接收-
6	B+	数据接收+
7	GND	地线

SATA采用串行数据传输方式，即数据以逐位（bit）的形式进行传输,且使用差分信号和特定的数据协议来管理和控制数据传输，差分信号通过一对相互补偿的信号线（差分对）来传输数据，接收端通过检测两个信号之间的差异来恢复原始信号，提高了信号的抗干扰能力和传输距离。

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2024-8-20 17:39 上传

 

我们为eSATA接口提供了两种封装相同电气特性相似的十引脚ESD防护器件，专为保护高速差分线路而设计，可同时保护两个差分数据对，其型号分别为SEUC10F3V4U和SEUC10F3V4UB。器件的流通式封装设计简化了 PCB 布局，减少布线过程中的不连续性，促进了信号完整性和系统稳定性的提升。

SEUC10F3V4U结电容为0.6pF，钳位电压为13V，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，可在 ±17kV（空气）和 ±12kV（接触）下提供瞬变保护。SEUC10F3V4UB结电容为0.5pF，钳位电压仅为3.5V，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，可在 ±23kV（空气）和 ±22kV（接触）下提供瞬变保护。客户可根据线路实际情况选择器件。

型号参数

规格型号	方向	工作电压(V)	IPP(A)	钳位电压(V)	结电容(pF)	封装
SEUC10F3V4U	Uni	3.3	8	13	0.6	DFN2510-10L
SEUC10F3V4UB	Uni	3.3	8	3.5	0.5	DFN2510-10L

电气特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Units
Reverse stand-off voltage	VRWM				3.3	V
Reverse Breakdown Voltage	VBR	IT= 1mA	4.0			V
Reverse Leakage Current	IR	VRWM=3.3V			1	uA
Clamping Voltage	VCL	IPP=1A; TP=8/20us		7.0	9.0	V
Clamping Voltage	VCL	IPP=8A; TP=8/20us		13.0	15.0	V
Junction capacitance	CJ	I/O pins to ground; VR=0V; f = 1MHz		0.6	1.0	pF
		Between I/O pins;
		VR=0V; f = 1MHz		0.3	0.5

表1 SEUC10F3V4U电气特性表

 

Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Units
Reverse Stand-off Voltage	VRWM				3.3	V
Reverse Breakdown Voltage	VBR	IT=1mA	5.0	7.3		V
Reverse Leakage Current	IR	VRWM=3.3V			100	nA
Clamping Voltage	VCL	IPP=1A; tp=8/20us		1.0	3.0	V
Clamping Voltage	VCL	IPP=8A; tp=8/20us		3.5	5.0	V
Dynamic Resistance	Rdyn	IR= 16A; Tamb = 25℃		0.2		Ω
Junction Capacitance	CJ	VR=0V; f=1MHz；IO-GND		0.50		pF
		VR=0V; f=1MHz；IO-IO		0.22

表2 SEUC10F3V4UB电气特性表

总结与结论

由于eSATA接口在现实生活中对于需要高速、稳定数据传输的专业用户以及追求高效数据处理体验的消费者而言具有重要的意义，保护eSATA接口免受ESD静电损害极为关键。ELECSUPER SEMI研发各种低电容低钳位电压的ESD保护器件，可按照客户需求性能与封装提供定制化开发服务，为各种接口提供值得信赖的保护器件。以上解决方案是保护eSATA接口的优选之策，确保数据传输的稳定性和可靠性。