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2024-8-15 17:04 上传
针对RF射频天线的静电防护方案,我们提供了两款低结电容低钳位电压ESD防护器件SELC2X5V1BT和SELC2F5V1BT。两个器件电气特性相似,工作电压都为5V,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 规范,在 ±25kV(空气)和 ±22kV(接触)下提供瞬变保护,可保护天线在恶劣的电磁环境下免受静电放电(ESD)和低等级浪涌事件的冲击与干扰。客户可根据天线实际情况进行选择。
型号参数
规格型号
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方向
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工作电压(V)
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IPP(A)
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钳位电压(V)
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结电容(pF)
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封装
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SELC2X5V1BT
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Bi.
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5
|
4.5
|
22
|
0.3
|
DFN0603-2L
|
SELC2F5V1BT
|
Bi.
|
5
|
4.5
|
22
|
0.3
|
DFN1006-2L
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电气特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter
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Symbol
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Conditions
|
Min.
|
Typ.
|
Max.
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Units
|
Reverse Stand-off Voltage
|
VRWM
|
|
|
|
5.0
|
V
|
Reverse Breakdown Voltage
|
VBR
|
IT=1mA
|
6.5
|
|
|
V
|
Reverse Leakage Current
|
IR
|
VRWM=5V
|
|
|
1.0
|
uA
|
Clamping Voltage
|
VC
|
IPP=1A; tp=8/20us
|
|
12.0
|
|
V
|
Clamping Voltage
|
VC
|
IPP=4.5A; tp=8/20us
|
|
22.0
|
|
V
|
Junction Capacitance
|
CJ
|
VR=0V; f=1MHz
|
|
0.3
|
|
pF
|
表1 SELC2X5V1BT电气特性表
Parameter
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Symbol
|
Conditions
|
Min.
|
Typ.
|
Max.
|
Units
|
Reverse Stand-off Voltage
|
VRWM
|
|
|
|
5
|
V
|
Reverse Breakdown Voltage
|
VBR
|
IT=1mA
|
6.5
|
|
|
V
|
Reverse Leakage Current
|
IR
|
VRWM=5V
|
|
|
1
|
uA
|
Clamping Voltage
|
VC
|
IPP=1A; tp=8/20us
|
|
12
|
|
V
|
Clamping Voltage
|
VC
|
IPP=4.5A; tp=8/20us
|
|
22
|
|
V
|
Junction Capacitance
|
CJ
|
VR=0V; f=1MHz
|
|
0.3
|
|
pF
|
表2 SELC2F5V1BT电气特性表
总结与结论
无线通信在日常生活中无处不在,射频(RF)天线不仅支撑着现代通信网络的运行,还推动了物联网、自动驾驶、医疗健康等新兴领域的发展,保护射频天线免受ESD静电损害对生产生活十分重要。
ELECSUPER SEMI研发各种低电容低钳位电压的ESD保护器件,可按照客户需求性能与封装提供定制化开发服务,为各种接口提供值得信赖的保护器件。以上解决方案是保护射频(RF)天线的优选之策,确保无线通信的稳定收发。
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