SIM卡静电放电防护方案

涛意隆

SIM卡静电放电防护方案 [复制链接]

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2024-8-13 14:21 上传

 

下载附件  保存到相册 2024-8-13 14:21 上传   针对SIM卡的静电防护方案，我们提供三款防护器件，可选择SEUC236T5V4U 、SEUC236T5V4UB或SEUC236T5V4UC作为ESD防护器件。三款器件都为集成多路ESD静电二极管防护元件，可同时保护SIM卡的五个引脚免受静电放电(ESD)和低等级浪涌事件的冲击与干扰。 三款器件都为低电容低钳位电压ESD保护器件，封装都为SOT-23-6L，工作电压都为5V，且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 规范，在 ±15kV（空气）和 ±8kV（接触）下提供瞬变保护。客户可根据SIM卡的实际情况选择器件。   型号参数 规格型号 方向 工作电压(V) IPP(A) 钳位电压(V) 结电容(pF) 封装 SEUC236T5V4U Uni. 5 4.5 12 0.6 SOT-23-6L SEUC236T5V4UB Uni. 5 5.5 14 0.6 SOT-23-6L SEUC236T5V4UC Uni. 5 15 22 1.5 SOT-23-6L 电气特性表   At TA = 25℃ unless otherwise noted Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units Reverse Stand-off Voltage VRWM       5.0 V Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0     V Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     1.0 uA Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us   9.0 11.0 V Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us   12.0 15.0 V Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz   0.6 1.0 pF Between I/O; VR=0V; f=1MHz   0.3 0.5 pF 表1 SEUC236T5V4U电气特性表   Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units Reverse Stand-off Voltage VRWM       5.0 V Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0     V Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     1.0 uA Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us   10.0 12.0 V Clamping Voltage VC IPP=5.5A; tp=8/20us   14.0 17.0 V Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz   0.6 1.0 pF Between I/O; VR=0V; f=1MHz   0.3 0.5 pF 表2 SEUC236T5V4UB电气特性表   Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units Reverse Stand-off Voltage VRWM       5.0 V Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0.     V Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     10 uA Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us   10.0 12.0 V Clamping Voltage VC IPP=15A; tp=8/20us   22.0 25.0 V Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz   1.5 2.0 pF Between I/O; VR=0V; f=1MHz   0.75 1.0 pF 表3 SEUC236T5V4UB电气特性表 总结与结论 由于SIM卡在移动通信和数字经济发展中的重要作用，保护SIM卡免受ESD静电损害极为关键。ELECSUPER SEMI研发各种低电容低钳位电压的ESD保护器件，可按照客户需求性能与封装提供定制化开发服务，为各种接口提供值得信赖的保护器件。以上解决方案是保护SIM卡的优选之策，确保移动通信的正常运行。

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