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mosfet管的DS极电阻是多大才正常呢 [复制链接]

 

全新的MOS管在GS短接时,用万用表量DS极的电阻是无穷大的(电阻档的正极接D,负极接S,以下电阻都是这个测量方法)。

振动台的功率放大器的管了是用IRFP260M,五个并联一个半桥,20个管子并联组成H桥式电路。

管子焊接在功放模块上,新的时候量 DS极间电阻,万用表读数是无穷大,用220M量程的数字表量DS极间电阻仍是无穷大。

有的功放模块用了十多年以上的时间,量DS的极间电阻就无穷大了。

有的功放模块量DS极间电阻只有2M也可以正常工作 ,不会运行错误或故障停机了。最近一个模块 量到DS电阻是0.5M的功放模块也可以 开机运行。

功率模块的正负电源是200V,一个模块的功放的输出电流是50A,一个功放箱里面两个模块可以输出电流是100A,一个机柜最多装7 个箱最大可以输出700A电流,

不明白功放管的DS电阻有的只有2M欧电阻也能正常运行,

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0.5M欧姆的电阻值相对较低, 说明这在使用的MOS管,已经存在某种程度的退化或损坏。 尽管在可能还能工作,但它的性能可能已经下降,漏电流增加,后续,可能会出现功率损耗增加和热问题。 只能这样分析了   详情 回复 发表于 2024-8-5 07:48
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沙发
 
DS间得靠电压差才能激活载流子的通道吧
 
 
 

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每个品牌或者型号的因为工艺不同应该不尽相同吧

 比如,对于IRFP260M这样的高功率管,它的导通电阻通常在几十毫欧到几百毫欧之间,

但具体要设计电路时,比如选择了这种管子,还是要根据数值需要参考该型号的数据手册吧

 
 
 

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0.5M欧姆的电阻值相对较低,

说明这在使用的MOS管,已经存在某种程度的退化或损坏。

尽管在可能还能工作,但它的性能可能已经下降,漏电流增加,后续,可能会出现功率损耗增加和热问题。

只能这样分析了

 
 
 

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纯净的硅(中级)

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功放的桥式放大电路刚上电时,四个管子截止,半桥就相当是两个无穷大的电阻串联,理想情况就是半桥的中间电位点O1,O2就是电源电压的一半了,功放的输出就是0了。

当实际量DS极间电阻不是无穷大时,极间阻值用万用表量是不确定的,当通电时半桥的两个管子截止时怎么做到分压相同呢

 
 
 

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