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1、MOS管开通过程
第一阶段，Vgs开始上升，Vds和Id保持不变，这个阶段驱动电流为栅极电容Cgs充电，一直到Vgs到达阈值Vgs(th)，这个阶段MOS管处于截止区。
第二阶段，MOS管开始导通，Id开始有电流并逐步增加，在电流增长区间，Id达到做大电流，Vds略有下降，因为下降的di/dt在杂散电感上产生了一定压降，导致Vds有一定下降，MOS管进入饱和区。
第三阶段，在Id电流到达最大时刻即进入米勒平台，米乐平台就是Vgs在一段时间几乎不变的一个阶段，在饱和区存在跨导特性，Id=Vgs*gm，由此式可以得出，Id不变Vgs就不变，在这个阶段由于Id已经到达最大值，所以Vgs基本不变，所以是维持米勒平台的阶段。
第四阶段，驱动电流为Cgd充电，并导致Vds下降，由于Cgd电容大小变化由快到慢，所以Vds下降速度速度逐渐减缓。若要退出米勒平台，必须进入线性区，当Vds等于此时的Vgs-Vg(th)时，MOS管进入线性区，此时Vds的大小由Rds和Id决定，同时驱动电流继续为Cgs和Cgd充电，Vgs开始恢复并继续上升，MOS管基本导通。
2、米勒效应的影响
dv/dt振荡，当MOS管两端电压迅速上升的时候，通过Cgd所产生的电流在MOS管GS两端寄生电阻上产生的压降大于开启电压时，会使MOS管导通。
米勒振荡，MOS管的输入和输出是反向，当开关速度比较快时，引线电感和寄生电容引起振荡导致MOS管损坏加剧。
3、如何应对米勒效应
减缓驱动强度，栅极串入电阻降低开关频率。
在GS极之间并接瓷片电容，但是为什么是增加电阻电容值缩短充放电时间，应该是并联电容，容值增大，充电速度也会降低。
差异化放电，利用关断时增加二极管或者关断时直接短路GS.
MOS管的输出特性曲线到底哪个是线性区哪个是饱和区？我看不同的资料有不同的解区分。自己做了一个仿真如下图。对米勒效应的理解不知道对不对，请指教。
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