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电荷泵输出电路问题 [复制链接]

 

 

由上图可知,这是一个用NMOS作防反接的一个电路,VCP引脚会输出一个高电平电压,电池正接时VPC会输出高电平来使得MOS管导通,当输入电压反接时,三极管Q1会导通,

使得NMOS处在关断的状态中,那我想问D1的作用是什么呢?

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【这么来说的话,这个二极管还真是非常必要的】 是的,有必要加这么个二极管,而且这个二极管应该使用普通二极管。   详情 回复 发表于 2024-6-19 20:26
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假设没有这个二极管,当电池反接时,电流可能会通过NMOS的源极和漏极,NMOS会损坏。

D1起到钳位二极管作用。

 
 
 

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注意VEBO这个参数


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【注意VEBO这个参数】 同意。普通小功率NPN三极管发射结耐压通常只有5~6V。    详情 回复 发表于 2024-6-19 09:22
 
 
 

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【注意VEBO这个参数】

同意。普通小功率NPN三极管发射结耐压通常只有5~6V。

 

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最开始我也这么想,R BASE的电阻阻值大概是47k,即便前面有比较高的一个电压值,有这个电阻限流应该也没问题吧  详情 回复 发表于 2024-6-19 19:52
 
 
 

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maychang 发表于 2024-6-19 09:22 【注意VEBO这个参数】 同意。普通小功率NPN三极管发射结耐压通常只有5~6V。  

最开始我也这么想,R BASE的电阻阻值大概是47k,即便前面有比较高的一个电压值,有这个电阻限流应该也没问题吧

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由于较大电阻的存在,Q1发射结被击穿也不会损坏。 问题在于:Q1发射结反向击穿时,Q1的集电极和发射极之间还能保持关断状态吗?  详情 回复 发表于 2024-6-19 20:00
 
 
 

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小太阳yy 发表于 2024-6-19 19:52 最开始我也这么想,R BASE的电阻阻值大概是47k,即便前面有比较高的一个电压值,有这个电阻限流应该也没 ...

由于较大电阻的存在,Q1发射结被击穿也不会损坏。

问题在于:Q1发射结反向击穿时,Q1的集电极和发射极之间还能保持关断状态吗?

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那这么来说的话,这个二极管还真是非常必要的  详情 回复 发表于 2024-6-19 20:08
 
 
 

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maychang 发表于 2024-6-19 20:00 由于较大电阻的存在,Q1发射结被击穿也不会损坏。 问题在于:Q1发射结反向击穿时,Q1的集电极和发射极 ...

那这么来说的话,这个二极管还真是非常必要的

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【这么来说的话,这个二极管还真是非常必要的】 是的,有必要加这么个二极管,而且这个二极管应该使用普通二极管。  详情 回复 发表于 2024-6-19 20:26
 
 
 

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小太阳yy 发表于 2024-6-19 20:08 那这么来说的话,这个二极管还真是非常必要的

【这么来说的话,这个二极管还真是非常必要的】

是的,有必要加这么个二极管,而且这个二极管应该使用普通二极管。

 
 
 

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