Si24R2E：2.4GHz，内置MCU的有源RFID标签芯片特点和应用方案选型

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Si24R2E：2.4GHz，内置MCU的有源RFID标签芯片特点和应用方案选型 [复制链接]

关于Si24R2E的概述：

Si24R2E是一颗在2.4GHz ISM频段工作的芯片，专门设计它为低功耗有源RFID应用场合使用，而且集成嵌入式2.4GHz无线射频发射模块、128次可编程NVM存储器模块以及自动发 射控制器模块等。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。

关于Si24R2E的封装：QFN20/4*4*0.8mm

在实际生产中，因为Si24R2E的外围电路比较简单不需要编程，成品率更高，稳定出品，可以大批量生产，解决了用户在标签研发和生产上的难题。

并且Si24R2e系统应用成本非常低，它不需要外部MCU，仅用少量外围无源器件就可以组成一个有源RFID无线数据发射系统。

关于Si24R2E的应用方向：

低功耗有源RFID标签系统

电动自行车防盗系统

智慧校园卡管理系统

固定资产监管系统

智能停车场管理系统

关于Si24R2E的芯片特性：

● 工作在2.4GHz ISM频段

● 内置128次可编程NVM存储器

● 具有超低功耗自动发射功能

● 具有低电压自动报警功能

● 具有防拆卸报警功能

● 集成防冲突通信机制

● 内置3KHz RCOSC和硬件Watchdog

● 3.3V编程电压

● 调制方式：GFSK

● 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps

● 超低关断电流：700nA

● 超低待机电流：15uA

● 快速启动时间： ≤ 130uS

● 宽电源电压范围：1.9-3.6V

● 宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V

● 低成本晶振：16MHz±60ppm

● 至高发射功率：7dBm

● 发射电流(2Mbps): 13.5mA（0dBm)

● 至高 10MHz 四线 SPI 接口

● 发射数据硬件中断输出

● QFN20 封装

● 兼容Si24R1和Si24R2发射功能