MOS管的驱动导通和关断分析

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MOS管的驱动导通和关断分析 [复制链接]

以增强型MOS管为例，分为NMOS和PMOS管分析这两种MOS管的工作原理

1、NMOS的结构图为例，以P型材料为衬底，扩散两个N掺杂的区域，向外引出三个电极，G极S极D极，为了确保栅极对导电沟道的控制，确保生成反型层，GS之间所加电压为正向电压，又由这种结构所生成的体二极管，就是两个N掺杂区域和P型衬底之间的体二极管，但是由于衬底和一个N掺杂区域短接，故只有一个体二极管是D极和P型衬底形成的。但是为什么此时栅极电压对源极电压是正的，漏极电压对源极电压也要求为正？想起来了，就是因为这个额外生成的体二极管造成的，如果要实现栅极对DS的控制，漏极电压必须对源极电压为正。

2、PMOS的结构图为例，以N型材料为衬底，扩散两个P掺杂的区域，向外引出三个电极，G极S极D极，为了确保栅极对导电沟道的控制，确保生成反型层，GS之间所加电压为负向电压，又由这种结构所生成的体二极管，就是两个N掺杂区域和P型衬底之间的体二极管，假设此时DS之间电压为正向接法，电源通过D极和体二极管返回电源负极。假设此时之间DS电压为负向接法，电流就会通过导电沟道返回电源负极，S极和衬底形成的体二极管因为被短路（S极和衬底的短接线）所以不导通，D极和衬底形成的体二极管此刻是反偏电压所以也不会导通。

以上是关于对增强型MOS管的理解，或许有错误的地方请指正，之前一直都是一知半解，今天终于做一个总结不让自己忘得那么快。

 

qwqwqw2088

总结能力比较强，提到的结构图在那里

 

qwqwqw2088

为了防止体二极管导通，

对于NMOS确保漏极电压不会低于源极电压

对于PMOS确保漏极电压高于源极电压。

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qwqwqw2088 发表于 2024-6-10 20:02 总结能力比较强，提到的结构图在那里  

 

 

haoayou

MOS管的导通关断，是看上面的电流与电流波形的相乘与积分之和，加上反向恢复的损耗

beyond_笑谈

从电子设计和应用角度，建议看看功率MOSFET的导通和关闭原理及过程，结合电路拓扑结构一起看