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纯净的硅(中级)

MOS管的驱动导通和关断分析 [复制链接]

以增强型MOS管为例,分为NMOS和PMOS管分析这两种MOS管的工作原理

1、NMOS的结构图为例,以P型材料为衬底,扩散两个N掺杂的区域,向外引出三个电极,G极S极D极,为了确保栅极对导电沟道的控制,确保生成反型层,GS之间所加电压为正向电压,又由这种结构所生成的体二极管,就是两个N掺杂区域和P型衬底之间的体二极管,但是由于衬底和一个N掺杂区域短接,故只有一个体二极管是D极和P型衬底形成的。但是为什么此时栅极电压对源极电压是正的,漏极电压对源极电压也要求为正?想起来了,就是因为这个额外生成的体二极管造成的,如果要实现栅极对DS的控制,漏极电压必须对源极电压为正。

2、PMOS的结构图为例,以N型材料为衬底,扩散两个P掺杂的区域,向外引出三个电极,G极S极D极,为了确保栅极对导电沟道的控制,确保生成反型层,GS之间所加电压为负向电压,又由这种结构所生成的体二极管,就是两个N掺杂区域和P型衬底之间的体二极管,假设此时DS之间电压为正向接法,电源通过D极和体二极管返回电源负极。假设此时之间DS电压为负向接法,电流就会通过导电沟道返回电源负极,S极和衬底形成的体二极管因为被短路(S极和衬底的短接线)所以不导通,D极和衬底形成的体二极管此刻是反偏电压所以也不会导通。

以上是关于对增强型MOS管的理解,或许有错误的地方请指正,之前一直都是一知半解,今天终于做一个总结不让自己忘得那么快。

 

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从电子设计和应用角度,建议看看功率MOSFET的导通和关闭原理及过程,结合电路拓扑结构一起看   详情 回复 发表于 2024-6-11 17:22

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本帖最后由 qwqwqw2088 于 2024-6-10 20:06 编辑

总结能力比较强,提到的结构图在那里

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为了防止体二极管导通,

对于NMOS确保漏极电压不会低于源极电压

对于PMOS确保漏极电压高于源极电压。

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纯净的硅(中级)

qwqwqw2088 发表于 2024-6-10 20:02 总结能力比较强,提到的结构图在那里  
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一粒金砂(中级)

MOS管的导通关断,是看上面的电流与电流波形的相乘与积分之和,加上反向恢复的损耗

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从电子设计和应用角度,建议看看功率MOSFET的导通和关闭原理及过程,结合电路拓扑结构一起看

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