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一粒金砂(中级)

上电波形 [复制链接]

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STC单片机上电瞬间 它的供电5V与GND的波形。这个负2V是怎么产生的 对芯片有影响吗?

 

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最左边的红线处为上电瞬间的电压波形?也就是说给MCU供电的电压,先放电再上电?如果是,那这个电路设计应该是有问题吧。并不只是因为-2V电压的存在   [attach]814994[/attach]     详情 回复 发表于 2024-6-8 17:58

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纯净的硅(初级)

木有原理图,只能给个排查的小建议:可以先查看下PCB板子上这个单片机供电的去耦电容,容值是不是过小,或者摆放位置离供电口过远了。

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没有接外围设备 就是个12V供电 然后给7805降压到5V给到MCU.  详情 回复 发表于 2024-6-1 09:06

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一粒金砂(中级)

laker2008 发表于 2024-5-31 17:38 木有原理图,只能给个排查的小建议:可以先查看下PCB板子上这个单片机供电的去耦电容,容值是不是过小,或 ...

没有接外围设备 就是个12V供电 然后给7805降压到5V给到MCU.

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这是分布参数的影响,甚至包括示波器探头的影响。在实际应用上,这个“问题”不会啥不良影响,可以忽略。

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请问版主 我想测量上电的浪涌的话 要怎样测量呢?现在是有一个问题 反复上电 MCU有时候烧坏了 外围连接就是串口和IO给电平。  详情 回复 发表于 2024-6-3 10:12
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chunyang 发表于 2024-6-1 23:29 这是分布参数的影响,甚至包括示波器探头的影响。在实际应用上,这个“问题”不会啥不良影响,可 ...

请问版主 我想测量上电的浪涌的话 要怎样测量呢?现在是有一个问题 反复上电 MCU有时候烧坏了 外围连接就是串口和IO给电平。

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至于反复上电MCU损坏,先确定是否为电源设计问题,这个可能性最大,另外加强去耦并注意PCB设计,避免分布参数中的感性环节的影响。  详情 回复 发表于 2024-6-3 23:16
上电浪涌分电压浪涌和电流浪涌,使用的探头不同。一般而言,测电压,测敏感元件处,需要高带宽存储示波器,存储深度有足够。  详情 回复 发表于 2024-6-3 23:15

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一粒金砂(中级)

由于电源滤波电容的存在,在第一次上电的时候(电容上电压为零),

正常的上电波形应该是电压从零逐渐上升到正常的供电电压。

 

这个波形显示的是从 5V (电容上电压不为零)逐渐充电(放电)到 1V 不到,

然后突然回到正常供电电压。应该不是个正常的上电波形。

 

所以推断电路很可能有异常。检查下电路的连接、电路中的器件……等是否都正常。

如果方便的话,还是把电路图,甚至实物图片放上来看看。

有些问题是要在细节里才能发现的。

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tangwei8802429 发表于 2024-6-3 10:12 请问版主 我想测量上电的浪涌的话 要怎样测量呢?现在是有一个问题 反复上电 MCU有时候烧坏了& ...

上电浪涌分电压浪涌和电流浪涌,使用的探头不同。一般而言,测电压,测敏感元件处,需要高带宽存储示波器,存储深度有足够。

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tangwei8802429 发表于 2024-6-3 10:12 请问版主 我想测量上电的浪涌的话 要怎样测量呢?现在是有一个问题 反复上电 MCU有时候烧坏了& ...

至于反复上电MCU损坏,先确定是否为电源设计问题,这个可能性最大,另外加强去耦并注意PCB设计,避免分布参数中的感性环节的影响。

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最左边的红线处为上电瞬间的电压波形?也就是说给MCU供电的电压,先放电再上电?如果是,那这个电路设计应该是有问题吧。并不只是因为-2V电压的存在

 

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