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纯净的硅(高级)

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MOS管的SOA区域该如何理解? [复制链接]

 

MOS管的SOA区域如下,可以看到规格书中的SOA区域分为,1,2,3,4    4个部分,这个该怎么理解呢?

可以看到SOA区域是VDS电压与ID电流的曲线,在VDS比较小的时候,限制MOS管的是1   区域? 随着VDS一点点增加,没理解为啥非要标记出来1是RDSON,2是电流,3是功率,4是DS最高电压,直接说明VDS与ID的关系不就行了,为啥要分出来1,2,3,4呢,最终的结果不就是VDS的值限制了 ID电流吗?

 

 

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注意该图横坐标和纵坐标都是对数刻度。横轴纵轴都是对数刻度时,等功率曲线是左上到右下的直线,例如图中倾斜的虚线和DC标示直线。 所以图中安全工作范围,在上面(数字2所标示)是受最大电流限制,倾斜虚线部分是受功率限制,右边竖直直线是受漏极耐压限制。 受功率限制部分,又与脉冲持续时间有关。脉冲时间越短,允许管子承受的脉冲功率越大。短脉冲允许的功率远大于直流功率。   详情 回复 发表于 2024-5-28 09:24
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沙发
 

注意该图横坐标和纵坐标都是对数刻度。横轴纵轴都是对数刻度时,等功率曲线是左上到右下的直线,例如图中倾斜的虚线和DC标示直线。

所以图中安全工作范围,在上面(数字2所标示)是受最大电流限制,倾斜虚线部分是受功率限制,右边竖直直线是受漏极耐压限制。

受功率限制部分,又与脉冲持续时间有关。脉冲时间越短,允许管子承受的脉冲功率越大。短脉冲允许的功率远大于直流功率。

 
 
 

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