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纯净的硅(中级)

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用UT612 LCR表测量 MOSFET管DS极间电容不准确 [复制链接]

用优立德的UT612的LCR表测量 IRFP260M的DS极间电容,Cs2.96uF  Q 0.096.

UT612测量容抗性元件,显示的Q值是很低的,都是小于1的,感觉这个表是有问题的。

 

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是否应给出测量时的电连接图,便于解决问题!   详情 回复 发表于 2024-4-25 14:36
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纯净的硅(中级)

沙发
 

MOSFET管的极间电容,厂家的参数表中给出的电容是几个nF,用别的表测量Q值都有几十,我测了MUR3040的极间电容,UT612的电容测量Q值是小于1的。

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纯净的硅(中级)

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用UT612测量功放里面的功率电感器,显示的Q值也是很小的。

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纯净的硅(初级)

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是否应给出测量时的电连接图,便于解决问题!

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个人签名徐建
20091127
 
 
 

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纯净的硅(中级)

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就是用UT612这个万用表式的LCR表的夹子,夹住IRFP260M的DS脚 ,测量极间电阻,电容,UT612表上选择Cs时是uF ,Cp值才是10多nF .Q值是小于1的。大家可以用LCR仪测量下功率MOSFET管的极间电容是多大,Q值是多大。

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纯净的硅(中级)

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用UT612测量功率放大器上的功率电感,11uH ,UT612测量出来的Q也是1左右。

 

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纯净的硅(中级)

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我问过优利德公司的服务人员,他们说他们的产品检验测量标准产品,是合格的。

大家在平时工作中使用万用表时,有多少是测量标准的R,C呢,大部分要测量的电子元件都是半导体,大功率功放管等,

还有我很多时候是在电路板测量电子元件,优利德公司的人说是不符合要求的,他们不保证。

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这个是仙童的100A600V的IGBT,最小面是电容参数,Cces是输出电容经典值是963pF,  Cies输入电容是10.8nF .(1MHz测试频率)

我用UT61E+的万用表测量GE门极电容是9nF ,输出CE极电容是8.5nF. 

用许剑开源的LCR表测量电容,频率是1KHz也是这个结果,GE的Q值是最大到999,CE的Q值在40左右了。

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