高边开关驱动感性负载
常见的感性负载主要是电机,变压器继电器等,他们通常有线圈组成的部分,当驱动感性负载的时候高边开关的电流将缓慢的上升,直到达到额定的工作电流值.在驱动感性负载打开时候不可怕,可怕的是在感性负载关闭时候产生的能量.
上学的时候用继电器,老师可能会反复强调要在继电器的线圈上并联反向二极管,所以有想过为什么需要并联反向二极管吗?
典型的继电器线圈可以看做是电感和电阻的串联,如下图1所示.
图1:线圈模型
备注:电感值电阻值是我随意设置的
当高边开关打开给线圈通电时候,电流将会缓慢的上升,直到达到输入电压等于R1上的电压为止,打开LTspice输入仿真图如下图2所示.
图2:模拟高边开关驱动感性负载
仿真代码:
L1 Coil N002 10?R1 N002 0 100
V1 N001 0 10.7
V2 SIG 0 PULSE(12 0 1m 1n 1n 1m 3m)
M1 Coil SIG N001 N001 AO6407
.model NMOS NMOS
.model PMOS PMOS
.lib C:\Users\xuyun\AppData\Local\LTspice\lib\cmp\standard.mos
.tran 8M
.backanno
.end |
仿真结果如图3:所示.
图3:仿真结果
当Sig从低的电压转换为高的电压时候,M1关闭,此时电感上的电流不能突变,于是V(Coil)上就产生一个负的电压,AO6407最大的Vds电压为-20V时候就会击穿.如下图4所示.所以仿真的结果并不准确.
图4:AO6407手册
虽然并不准确,我们也可以看看如果在线圈两端并联二极管的效果是什么样,是不是可以对M1进行保护.如下图5所示,仿真结果如图6所示.
图5:在线圈两端并联二极管
图6:仿真结果
看到图6的仿真结果,V(COIL)最低只有到-1V左右,没有产生非常负的电压,这样就保护住了M1的管子,此时线圈上的电流由D1承受.通过D1的放电路径就保护住了M1管子.
在高边开关的手册中,以EAS去表征这个参数,到底可以带多大的电感.
另外查看高边开关的内部架构时候发现,高边开关的内部DS存在钳位的保护,避免高边开关由于VDS过压造成的损坏.图7展示了BTS7008的内部架构.
图7:BTS7008 内部架构
广告:类比半导体HD7008 P2P BTS7008
但是内部的钳位二极管也不是可以无限度的去抗住这个能量,最大EAS就是最大能抗住的能量大小,计算方法如下所公式1所示.
公式1:
来自infineon BTS7008手册.
既然如此,那就知道,当后级感性负载的能量高于EAS那就带保护,如果低于EAS不带保护也问题不大芯片厂会给你保证.
另外看到个有意思的,高边开关配合普通MOS当H桥用见图8.既有电流采样又有自举电路,还带各种保护,还是挺有意思,驱动也不用那么麻烦.
图8:高边当H桥用
好了,今天就先聊到这里了,拜拜~
参考文档
BTS7008手册
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