利用SiC FET独特优势，巩固领先地位

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利用SiC FET独特优势，巩固领先地位 [复制链接]

 

回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？

为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。

 

开发750V TOLL封装SiC FET

进军光储充、动力总成等多个市场

行家说三代半：过去一年，贵公司主要做了哪些关键性工作？

Ramanan：Qorvo是业内唯一一家基于JFET技术打造行业标准SiC FET产品的公司；从而助力更丰富的功率转换与电路保护应用。Qorvo提供业界最广泛的分立式FET产品组合（涵盖650-1700V、5-400mohms、SMD和TH封装等）。

在产品研发方面，2023年，Qorvo宣布采用具备业界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封装750V FET，这是任何其它功率半导体技术（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均无法超越的。

具体来看，TOLL封装750V SiC FET，导通电阻范围在5.4mΩ-60mΩ之间；另一款AEC级750V和1200V SiC FET，采用低电感SMD封装D2PAK-7L。

行家说三代半：2023年贵公司取得了哪些成绩？碳化硅在应用领域有哪些进展与案例？

Ramanan：Qorvo的SiC FET产品已广泛应用于光伏和储能、直流快速充电器、电动汽车动力总成、服务器/数据中心/工业PSU等多个市场。Qorvo的650-1200V SiC FET在任何特定封装中都能提供电阻最低的产品。

 

SiC FET具备独特优势

单晶圆芯片数多2-4倍

行家说三代半：相较于SiC MOS产品，贵公司的SiC FET的产品有哪些独特之处和优势？还有哪些新的技术进展？

Ramanan：Qorvo SiC FET的特点包括——

在给定RDS(on)条件下，SiC芯片尺寸更小，从而实现对SiC衬底用量的最有效利用；

在给定封装尺寸中具有最低的RDS(on)，同时结合最低的反向压降，能在软开关应用中实现最高效率；

与类似的SiC MOSFET相比，COSS（输出电容）更低，带来更快的开关速度，工作频率更高，由此缩小了臃肿无源元件（电感器、电容器）的尺寸；

+/-20V栅极电压能力：与所有竞品技术的栅极驱动电路兼容；

Qorvo SiC基于JFET技术，无SiC栅极氧化物可靠性问题；

此外，在与SiC MOS芯片尺寸相同的情况下，Qorvo SiC JFET技术实现了以下目标——

650V电压下，导通电阻比SiC MOSFET低3-4倍；

1200V电压下，导通电阻比SiC MOSFET低2倍；

对于相同的FET导通电阻，Qorvo的SiC JFET技术可实现：

更小的芯片尺寸；每片晶圆上容纳的芯片数量增加2-4倍，从而提升制造吞吐量；

更低的器件“寄生”电容。

优化产品组合

 

巩固SiC FET领先地位

行家说三代半：未来8英寸产品的商用化进程是怎样的？2024年贵司在产能或技术上有哪些规划？

Ramanan：6英寸仍然是整个行业的主流平台；越来越多的衬底供应商提供6英寸SiC晶圆，从而降低了成本。对于8英寸，目前仍存在良率较低、晶圆成本较高等挑战。

2024年，SiC器件的需求呈增长趋势，Qorvo将持续优化产品组合，以充分利用在分立式SiC FET产品领域的领先地位。

 

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