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五彩晶圆(初级)

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场效应管的开通过程 [复制链接]

以N沟道增强型场效应管为例,结合场效应管输出伏安特性曲线,最开始时,驱动电压未加,场效应管处于截止状态,此时漏源电压最大;当驱动压由零开始增大,沟道电阻变小,沟道电流增加,此时由于负载侧的阻抗影响,阻抗端电压增加,而场效应管漏源电压反而减小,此时场效应管处于恒流区,功耗很大;驱动电压再增大,沟道电阻更小,漏源电压达到最小,此时电流最大,场效应管进入饱和区。

1、不知以上我的分析对不对?

2、但是场效应管从开通到饱和是走直线还是折线还是曲线,从哪个角度走的?

3、由场效应管的开断推广至IGBT的开通不知是否也是这样?

4、关断是开通的逆过程?不知我理解如何?

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沿着负载线走。例如下图中,红色为负载线,场效应管开通后,从A点走到B点(假设VGS=7V)。图中对于场效应管的三个区的叫法是截止区、饱和区、可变电阻区,楼主的叫法是截止区、恒流区、饱和区。这个没有本质区别。图中的负载线是针对电阻负载的。 [attach]785329[/attach]       详情 回复 发表于 2024-2-6 21:08
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沙发
 

【当驱动压由零开始增大,沟道电阻变小,沟道电流增加】

通常不能这样说。

场效应管有增强型耗尽型之分。常用的N沟功率MOS管通常在门极对源极电压为零时并不导通,而是在门极对源极电压达到某个数值(通常为2~3V)时才开始导通(开始导通的意思是漏源电阻仍相当大)。此电压称为开启电压。门极电压继续上升,漏源之间电阻减小。门极电压上升到一定程度,漏源电阻达到最小值,此时门极电压可能需要9~10V。

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板凳
 

【此时漏源电压最大……此时电流最大】

你这一大段,是以MOS管负载为纯电阻而叙述的。但MOS管负载并不一定是纯电阻,往往带有电抗成分,于是通过MOS管的电流与漏源之间电压的关系变得非常复杂。远不如你叙述的那么简单。

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本帖最后由 maychang 于 2024-2-4 19:47 编辑

【2、但是场效应管从开通到饱和是走直线还是折线还是曲线,从哪个角度走的?】

我猜测,说【走直线还是折线还是曲线】,直线折线曲线都是指管子电压-电流特性曲线所在的平面上瞬时电压电流的轨迹。

由3楼,管子瞬时电压与电流在电压-电流平面的轨迹显然与负载以及管子初始状态有关,是相当复杂的情况。

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沿着负载线走。例如下图中,红色为负载线,场效应管开通后,从A点走到B点(假设VGS=7V)。图中对于场效应管的三个区的叫法是截止区、饱和区、可变电阻区,楼主的叫法是截止区、恒流区、饱和区。这个没有本质区别。图中的负载线是针对电阻负载的。

 

 

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