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I2C上拉电阻选择 [复制链接]

 
本帖最后由 常见泽1 于 2024-2-2 13:40 编辑

 

 

 

 

用的9511  I2C缓冲器 3peak的 请教下 这个输入上拉电阻10K 输出上拉电阻改成1K 是否会影响MCU通信

@chunyang @maychang  老师们求解

 

目前如果两边MCU通讯都用STM32  ACK 从机回复的NACK

用GD32 则正常

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与I²C设备数量、工作频率(普/快/高,绿皮/普快/高铁)、布线长度及布线质量都有关,并且与各个器件的管脚电气性能也有关,尤其是单片机IO口这种花心大萝卜。理想情况下大家都是平平无奇的开漏结构,现实情况是环肥燕瘦、我们不一样~不一样~~~每天都能给你找点事情~~~ 所以不要迷信计算结果,实物进行兼容性测试才是硬道理。   详情 回复 发表于 2024-2-22 15:23
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IIC的上拉电阻选择主要根据通信长度决定的吧,1K好像有点小,一般是2.2~10K之间

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同样的电路 我用STM32双机通讯不行  用GD32双机通讯可以 有点懵  详情 回复 发表于 2024-2-2 13:37
 
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秦天qintian0303 发表于 2024-2-2 11:30 IIC的上拉电阻选择主要根据通信长度决定的吧,1K好像有点小,一般是2.2~10K之间

同样的电路 我用STM32双机通讯不行  用GD32双机通讯可以 有点懵

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和负载有关,总线上的设备多,电阻就小一点。1K一般也没有大问题,但还是要看具体情况。

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一粒金砂(中级)

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電阻變小,會影響數位信號上升斜率與震鈴現象, 下拉電流會變大,晶片需要有更高的IO信號驅動能力才能將信號拉至Low. 不然會無法正常工作.  信號 > VIL 0.7V  會無法辨別為Low.

I2C 一般都是2.2K~10K沒錯.  

 

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一粒金砂(初级)

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纯净的硅(初级)

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主要还是看负载的,不过一般选择都是10K左右,稳定性比较高

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这个问题应该看器件手册,按手册中所载的取值范围来决定阻值。

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个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 
 

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纯净的硅(初级)

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这个跟单片机的IO驱动能力有关,我有一个产品 ,与楼主刚好相反,IIC没有外接上拉电阻,用的单片机内部的上拉;以前用的ST的正常工作,后面改用GD的就不行了,必须外挂上拉电阻。证明GD的IO比ST的驱动要差一点。

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是的 我也觉得是跟驱动能力有关  但是我这个跟你这个还有些区别 就是我中间是两个I2C缓冲器  详情 回复 发表于 2024-2-7 11:56
 
 
 
 

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hjl2832 发表于 2024-2-6 08:59 这个跟单片机的IO驱动能力有关,我有一个产品 ,与楼主刚好相反,IIC没有外接上拉电阻,用的单片机内部的上 ...

是的 我也觉得是跟驱动能力有关  但是我这个跟你这个还有些区别

就是我中间是两个I2C缓冲器

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纯净的硅(中级)

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把不确定的上拉电阻用一个10K可调电阻接上,调好后再用一个定值电阻换上,
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一粒金砂(中级)

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上拉电阻选择要依据通信速率和电源电压还有总线的电容,一般3.3V电压,100KHZ速率用4.7K电阻就行
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本帖最后由 damiaa 于 2024-2-20 09:45 编辑

如果是板子上的一个i2c芯片一般我选4.7k 10k也能工作,但有些极端情况10k不是很可靠。

所以一般情况总线挂一个芯片感觉用个4.7k的好。

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一粒金砂(高级)

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I2C上拉电阻取值选择范围,取决于驱动芯片参数和上拉电压,以及I2信号上升沿要求。

 

具体来说,芯片输出低电平时,驱动器灌入电流(sink),此时最小的上拉电阻为

 

如果上拉电阻小于此值,驱动器输出的0电平VoL要升高。

IoL一般2~3mA

 

 

 

上拉电阻最大值取决于I2C总线的负载电容大小和信号上升时间要求

 

上拉电阻超过最大值,会使信号上升时间变长,影响数据传输。

Cb是总线的负载电容,一般要求 400pF以下(标准模式和快速模式)

上升时间要查看芯片说明书关于上升时间要求

 

比如 I2C时钟频率以 400kHz ,上升时间要求最大 300ns

时钟频率以 100kHz ,上升时间要求最大 1us

 

 

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一粒金砂(中级)

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与I²C设备数量、工作频率(普/快/高,绿皮/普快/高铁)、布线长度及布线质量都有关,并且与各个器件的管脚电气性能也有关,尤其是单片机IO口这种花心大萝卜。理想情况下大家都是平平无奇的开漏结构,现实情况是环肥燕瘦、我们不一样~不一样~~~每天都能给你找点事情~~~

所以不要迷信计算结果,实物进行兼容性测试才是硬道理。

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