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大侠快来帮帮忙:经常烧MOS,GD击穿,到底扎回事? [复制链接]

 

各路大侠们,事情是这样子的,咱们的一位网友,在EE群里求助,折腾了很久一直没解决问题,来请大家帮忙看看,下面是我转载的这位网友在群里的提问

 

问题描述:

 

 

同志们谁能帮解决一下这个问题,同步整流MOS管VGS带载后变负大概2V多,现在批量的老化有一半都在烧MOS

有可能是这个VGS变负导致的嘛?

我这个MOS都是GD击穿,GS和DS管压降都是正常的

驱动10V

负压也在范围内阿,MOS管写的VGS在±20V

大批大批的GD击穿

 

有网友在群里回复他:

得看看具体驱动电路和DS之间的波形

你这关断后,GS在震荡,那个-2V不是自己出的吧,是激出来的一个负压,你的实际驱动电压就是0-10v,得看你那个管子在10v的时候,管子是不是完全导通了,因为管子还有米勒平台,得冲上去

 

然后这个网友发上来波形图了:

   

同志们,这是我那个经常烧MOS   GD击穿的VGS和VDS波形

我有两款电源,一款12v60W,一款12V100w,两款前后级方案完全相同,只有变压器不同,60W变压器电感是1mH,100W的是500uH,60W批量老化这个就没出现这个问题,100W批量老化200个就出了40多个烧后级同步MOS的问题,测量VGS和VDS电压都在MOS耐压范围内,同步MOS用的100N8K,100V 88A的,

我那个VGS耐压在MOS要求规格内,VGS是±20V耐压,这么说不是VGS或者VDS超标造成损坏是吧

 

 

 

伙伴们,来帮忙看看吧

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没有原理图的波形图   详情 回复 发表于 2024-8-26 14:21
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五彩晶圆(中级)

沙发
 

看看你的G极的串联电阻阻值,我怀疑这个电阻可能阻值过大或这其它的修改电阻阻值有不对的地方。

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板凳
 

经常烧MOS,GD击穿,,,

这个要看具体原因啦吧

MOS管GD击穿、烧坏,常见的就是瞬时电压或者电流太大,导致MOS管被直接击穿,可能的原因有MOS管选型不当,电路问题

 

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还有,就是电路的设计静电防护不到位,静电击穿引起

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五彩晶圆(中级)

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老化是常温老化,还是高温老化,温度也是非常重要的参数。

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有热成像吗?看看哪里温度高了啊
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纯净的硅(初级)

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SR误开通,那么明显的波形看不见吗


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这位网友回复:误开通这个我发现了,但是怎么解决,我调整防振铃误开的设置电阻了  详情 回复 发表于 2024-1-15 16:37
 
 
 

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不亦心 发表于 2024-1-15 11:55 SR误开通,那么明显的波形看不见吗

这位网友回复:误开通这个我发现了,但是怎么解决,我调整防振铃误开的设置电阻了

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一粒金砂(初级)

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必须滴,顶一个,顶一个

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一粒金砂(初级)

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okhxyyo 发表于 2024-1-15 16:37 这位网友回复:误开通这个我发现了,但是怎么解决,我调整防振铃误开的设置电阻了

请问你最后解决了吗?怎么解决的?

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我是帮别人转的问题,我问问他解决没?  详情 回复 发表于 2024-7-17 12:13
 
 
 

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一粒金砂(高级)

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上原理图啊老铁,就一个波形分析啥?不知道原理图的重要性!

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广播体操 发表于 2024-7-16 18:11 请问你最后解决了吗?怎么解决的?

我是帮别人转的问题,我问问他解决没?


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一粒金砂(中级)

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没有原理图的波形图

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