大侠快来帮帮忙:经常烧MOS,GD击穿,到底扎回事?
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各路大侠们,事情是这样子的,咱们的一位网友,在EE群里求助,折腾了很久一直没解决问题,来请大家帮忙看看,下面是我转载的这位网友在群里的提问
问题描述:
同志们谁能帮解决一下这个问题,同步整流MOS管VGS带载后变负大概2V多,现在批量的老化有一半都在烧MOS
有可能是这个VGS变负导致的嘛?
我这个MOS都是GD击穿,GS和DS管压降都是正常的
驱动10V
负压也在范围内阿,MOS管写的VGS在±20V
大批大批的GD击穿
有网友在群里回复他:
得看看具体驱动电路和DS之间的波形
你这关断后,GS在震荡,那个-2V不是自己出的吧,是激出来的一个负压,你的实际驱动电压就是0-10v,得看你那个管子在10v的时候,管子是不是完全导通了,因为管子还有米勒平台,得冲上去
然后这个网友发上来波形图了:
同志们,这是我那个经常烧MOS GD击穿的VGS和VDS波形
我有两款电源,一款12v60W,一款12V100w,两款前后级方案完全相同,只有变压器不同,60W变压器电感是1mH,100W的是500uH,60W批量老化这个就没出现这个问题,100W批量老化200个就出了40多个烧后级同步MOS的问题,测量VGS和VDS电压都在MOS耐压范围内,同步MOS用的100N8K,100V 88A的,
我那个VGS耐压在MOS要求规格内,VGS是±20V耐压,这么说不是VGS或者VDS超标造成损坏是吧
伙伴们,来帮忙看看吧
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