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纯净的硅(初级)

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怎么理解这个电路? [复制链接]

 
本帖最后由 Knight97538 于 2024-1-9 10:00 编辑

各位老师请教:这是个什么电路?U4、U5是光耦么?怎么理解这个电路

 

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[attach]779877[/attach] [attach]779876[/attach] [attach]779878[/attach] [attach]779879[/attach] 三个大焊盘是IRFP260M的,三个小焊盘是P60N06E   详情 回复 发表于 2024-1-23 20:14
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两个N沟MOS管门极没有驱动门极的电源,如果U4U5是光耦,那么两个N沟MOS管不可能导通。所以,此电路不能工作。

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工作肯定是能工作的,这是一个厂家的手册方案电路  详情 回复 发表于 2024-1-10 11:18
 
 
 

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从两个N沟MOS管“脚对脚”串联于S1和S2之间,该电路可能是想要充当一个开关接入交流电路。但如前所述,两个MOS管不可能导通,所以不能起到开关作用。

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maychang 发表于 2024-1-9 10:41 两个N沟MOS管门极没有驱动门极的电源,如果U4U5是光耦,那么两个N沟MOS管不可能导通。所以,此电路不能工作 ...

工作肯定是能工作的,这是一个厂家的手册方案电路

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如果“厂家”提供的手册不能让使用者“理解这个电路”,甚至不知道“这是个什么电路”,此等厂家大概不是什么正经厂家。  详情 回复 发表于 2024-1-11 12:16
【这是一个厂家的手册方案电路】 既然是厂家的手册方案电路,那么问厂家 “这是个什么电路” 好了。U4、U5是不是光耦,厂家的手册里面必定会讲清楚。  详情 回复 发表于 2024-1-10 12:11
 
 
 

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Knight97538 发表于 2024-1-10 11:18 工作肯定是能工作的,这是一个厂家的手册方案电路

【这是一个厂家的手册方案电路】

既然是厂家的手册方案电路,那么问厂家 “这是个什么电路” 好了。U4、U5是不是光耦,厂家的手册里面必定会讲清楚。

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这种光耦,一边是发射光,一边是光电池,能发电,所以发射端LED一般驱动电流较大,10-50mA才行。

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首帖电路,两个【光耦】二次并联。如果是要【光耦】二次发电来驱动MOS管,两个【光耦】二次应该串联才对。现在两个【光耦】二次并联,可见【光耦】二次不是光电池。 实际上,如果该【光耦】二次是光电池,用一个  详情 回复 发表于 2024-1-11 12:13
 
 
 

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U4、U5是光耦,来控制两个开关管的打开和关断作用;D1控制只能一个方向的电流导通,才能使光耦工作

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既然只是方案图,是不等于电路原理图的,所以未必就会把所有的元件都画上去了。

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一粒金砂(初级)

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D1防反接,U2U1接驱动,S1S2为接上下驱动器件,感觉有些端口没有画上去,目前这个状态不能工作
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fxyc87 发表于 2024-1-10 13:39 这种光耦,一边是发射光,一边是光电池,能发电,所以发射端LED一般驱动电流较大,10-50mA才行。

首帖电路,两个【光耦】二次并联。如果是要【光耦】二次发电来驱动MOS管,两个【光耦】二次应该串联才对。现在两个【光耦】二次并联,可见【光耦】二次不是光电池。

实际上,如果该【光耦】二次是光电池,用一个【光耦】足矣。用两个纯属多余。严重怀疑首帖电路的正确性。

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Knight97538 发表于 2024-1-10 11:18 工作肯定是能工作的,这是一个厂家的手册方案电路

如果“厂家”提供的手册不能让使用者“理解这个电路”,甚至不知道“这是个什么电路”,此等厂家大概不是什么正经厂家。

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是这个电路

 

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纯净的硅(中级)

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两个N型MOS管串联工作,提高管子的耐压了。

振动台的功放有一家是这样:一个IRFP260M的D极接正电源,S极与P60N06的S极串联, P60N06的D极接负电源了。260M的耐压是200V,电流是50A P60N06E是60V,60A,正电源上串联了一个10A的保险电阻,两个管子的G极是并联,串联了一个5.1欧姆的电阻。

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【两个N型MOS管串联工作,提高管子的耐压了】 提高耐压,那是根本没有的事。 功率MOS管内部必定带有一个二极管,这个二极管是MOS管制造时自动生成的,但电原理图中未必画出来。你把功率MOS管内部二极管画出来  详情 回复 发表于 2024-1-23 19:46
 
 
 

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振动试验仪器 发表于 2024-1-23 18:32 两个N型MOS管串联工作,提高管子的耐压了。 振动台的功放有一家是这样:一个IRFP260M的D极接正电源,S极 ...

【两个N型MOS管串联工作,提高管子的耐压了】

提高耐压,那是根本没有的事。

功率MOS管内部必定带有一个二极管,这个二极管是MOS管制造时自动生成的,但电原理图中未必画出来。你把功率MOS管内部二极管画出来就知道两个MOS管这样串联不能提高耐压了。

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纯净的硅(中级)

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本帖最后由 振动试验仪器 于 2024-1-23 19:58 编辑

这个半桥电路板,MOS管在板下面,260M的封装是247, P60N06E是220封装了。

 

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纯净的硅(中级)

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三个大焊盘是IRFP260M的,三个小焊盘是P60N06E

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解释一下这些图的意思好吗  详情 回复 发表于 2024-1-25 13:37
 
 
 

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纯净的硅(初级)

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振动试验仪器 发表于 2024-1-23 20:14 三个大焊盘是IRFP260M的,三个小焊盘是P60N06E

解释一下这些图的意思好吗

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