单片机内部 FLASH写入一个字节，因为要先擦后写，这个过程算写入了2次呢，还是1次呢

一沙一世

单片机内部 FLASH写入一个字节，因为要先擦后写，这个过程算写入了2次呢，还是1次呢 [复制链接]

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单片机内部 FLASH写入一个字节，因为要先擦后写，这个过程算写入了2次呢，还是1次呢，

 

资料中介绍的擦写次数：100,000 次 ，反复往其中某个地址写入某个数值，比如0x55，到底能写入 100，000次，还是55，000次？

 

 

chunyang

一次。FLASH的擦写次数指一个完整的擦除-写入周期，可以简单等同为擦除次数。

wangerxian

擦除算一次，写不算寿命次数

damiaa

你可以网上搜一下 闪存  耐久性 Endurance和 Data Retention测试方法 之类的标题

吾妻思萌

我瞎说一段，NAND就三种操作，读写擦。都是利用浮栅晶体管的特性来实现。

吾妻思萌

先说读操作，Gate级加一个很小的电压，如果浮栅层存了一堆电子（写入了呗），那么电压就被抵消了，那么D级和S级就不导通。读出就是0.

所以读这个动作不咋损耗

 

吾妻思萌

再说写入，写入是用了浮栅的隧穿层的量子隧穿效应，

请注意，如果在你写入的时候浮栅里面已经有了电子，此时你再写入就不得行了，所以要先擦除。

把浮栅电子吸出来，然后再写入。注意这里是按块擦除的，友友们自行百度，（我也不懂）

那么写入时我们浮栅就是没有电子的，此时只需要在Gate加一个正电压，电子受到吸引就会通过隧穿层跑到浮栅里面去。然后周围都是绝缘的就在里面住下了，我们的数据就保存了。

所以写入会消耗一次隧穿层，如果隧穿层有寿命，那就用了一次。

吾妻思萌

擦除，就是反着来在S级加一个正电压，此时浮栅中电子被吸引，就跑出来啦。

那么也要消耗一次寿命。

 

吾妻思萌

【单片机内部 FLASH写入一个字节，因为要先擦后写，这个过程算写入了2次呢，还是1次呢】

那么回到问题，各位老师说的都是算一次，我个人感觉是两次。也不知道对不对呀。