永源微AP6G03S、30V/N+P沟道MOSFET

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永源微AP6G03S、30V/N+P沟道MOSFET [复制链接]

描述：
AP6G03S采用先进的沟道技术，提供出色的
RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压，
适合用作
电池保护或其它开关应用。
一般特征：
VDS=30伏内径=10安
RDS(ON)<25mω@VGS=10V
VDS =-30V ID =-7.6 A
RDS(ON)<-48mω@VGS= 10V

应用：
电池保护
负载开关
不间断电源

基本参数：
最小工作温度：-10℃
最大工作温度：130℃
最小电源电压：1.5V
最大电源电压：7.5V
长度：9.6mm
宽度：1.5mm
高度：1.8mm
漏源电压：+30V
栅源电压：20V
连续漏极电流，VGS @ 10V1
连续漏极电流，VGS @ 10V1
脉冲漏极电流：20
单脉冲雪崩能量：22
雪崩电流，21 
储存温度范围，-55到150°
输入电容：VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz
封装：SOP-8 管装 最小包装3000一包
如有需求可联系咨询：18028336758（微信同步）

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