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西里古1992

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纯净的硅（中级）
楼主
发表于2023-10-17 14:12 只看该作者
 

这边请问一般RCD钳位电压和反射电压比例是多少？ [复制链接]

 

一般用哪个方法比较好

 

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不亦心
本帖最后由 不亦心 于 2023-10-18 23:21 编辑 计算方法就在表格上，还有啥纠结的。 RCD吸收的能量是漏感能量的Vn/(Vn-1)倍，Vn吸收钳位电容电压与反射电压的比值，显然Vn不能小于等于1； 从效率角度考虑，Vn越大越好，但Vn越大，MOS耐压需求越高，所以Vn也不能太大； 当Vn大于1.4以后，斜率变得平坦，继续加大Vn，效率收益不明显，反而MOS耐压增加较多； 综合考量，一般取1.4-2       详情 回复 发表于 2023-10-18 11:52
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lkh747566933

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五彩晶圆（初级）
沙发
发表于2023-10-17 17:21 只看该作者
 
没做过RCD钳位电压的设计，正好看看别的大神的解释，学习学习
 
 
 
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西里古1992

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纯净的硅（中级）
板凳
 楼主| 发表于2023-10-18 08:54 只看该作者
 

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不亦心

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纯净的硅（初级）
4楼
发表于2023-10-18 11:52 来自手机 只看该作者
 
本帖最后由 不亦心 于 2023-10-18 23:21 编辑

计算方法就在表格上，还有啥纠结的。

RCD吸收的能量是漏感能量的Vn/(Vn-1)倍，Vn吸收钳位电容电压与反射电压的比值，显然Vn不能小于等于1；

从效率角度考虑，Vn越大越好，但Vn越大，MOS耐压需求越高，所以Vn也不能太大；

当Vn大于1.4以后，斜率变得平坦，继续加大Vn，效率收益不明显，反而MOS耐压增加较多；

综合考量，一般取1.4-2

 

 

点评

西里古1992
好的谢谢  详情 回复 发表于 2023-10-23 09:26
 
 
 
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西里古1992

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纯净的硅（中级）
5楼
 楼主| 发表于2023-10-23 09:26 只看该作者
 
不亦心 发表于 2023-10-18 11:52 计算方法就在表格上，还有啥纠结的。 RCD吸收的能量是漏感能量的Vn/(Vn-1)倍，Vn吸收钳位电容电压与反射 ...

好的谢谢

 
 
 
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