【EETALK】当你面临选择时，你会选常闭耗尽型 (D-Mode) 的氮化镓晶体管吗？

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【EETALK】当你面临选择时，你会选常闭耗尽型 (D-Mode) 的氮化镓晶体管吗？ [复制链接]

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氮化镓功率半导体器件现在是真的是很火，可以应用在很多方面。目前占主导的氮化镓半导体器件有两种：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化镓晶体管。

当你需要利用氮化镓晶体管做设计的时候，你会选择常闭耗尽型（D-Mode）还是增强型的（E-Mode）的氮化镓晶体管呢？

一起来聊一聊你对这两种类型的氮化镓晶体管的看法吧~

 

 

在你做出选择之前，可以看看下面这篇文章的介绍分析，帮助你更好的

https://news.eeworld.com.cn/dygl/ic653644.html  

 

管管摘了一部分文中部分内容，感兴趣的可以点链接看原文哈

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氮化镓晶体管的成功很大程度上归功于一个关键的自然现象：2DEG沟道。2DEG是在GaN和AlGaN薄层界面处自发形成极其快速的导电通道。其自发存在的电子浓度是半导体材料中可达到的最高之一。除此之外，它还可提供两倍于最先进的硅基或碳化硅晶体管的电子迁移率—高达2000 cm²/V∙s。因此，二维电子气有着非常可观的低电阻—电容品质因数 (low resistance-versus-capacitance figure of merit) 及创纪录的高效率。

.........

 

有个问题：如何让横向的氮化镓高迁移率晶体管 (简称HEMT) 变成常闭型呢？这就引入了Normally-off D-mode及Normally-off E-mode (p-GaN栅) 两个不同的技术路线。

 

在Normally-off D-mode技术中，氮化镓HEMT的结构不变从而保持它的高性能及可靠性。在自然状态下，2DEG沟道可不受束缚地最大化其无与伦比的高迁移率和电荷密度组合。Transphorm的Normally-off D-mode解决方案是将氮化镓HEMT与低电压常关型硅基MOSFET结合来实现常闭型操作。该解决方案根据功率等级、拓扑结构及系统框架可提供2.5伏至4.0伏的正阈值电压。

 

相较之下，Normally-off E-mode增强型器件的方案选择控制HEMT内部的2DEG—但这样的设计会对2DEG优势有负面影响。

 

>>>>点此查看原文

 

 

lkh747566933

没有用过氮化镓，一直用的都是普通的增强型MOS