突破铁电存储芯片技术，又一个中国芯冉冉升起

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铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据，特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合，而且与其MCU接口电路简单，应用方便，本文介绍了国产铁电存储器PB85RS2MC在其多MCU系统中的应用。

 

 

铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点众多：非易失性，写入速度快，最关键是用一个铁电存储器可取代原MCU需配置的2~3个不同的存储器，统一的存储器架构使用户在成本和灵活性上获益。

例如在设计的碳控仪系统中，由于对控制碳势适时性的要求较高，而且系统由2个子系统构成，每个子系统都要频繁读写存储器，所以把原来的存储器换成铁电存储器才得以满足系统要求。

 

 

 

传感器网一般都在室外或野外，电源条件差，功耗要求苛刻，最好能一块电池支持设备整个生命周期，来从外界采集能量。而且实时采集到的更多数据要求内存擦写次数更多，对FLASH的寿命是个挑战，而铁电读写速度比闪存提升100倍，而功耗节省250倍。

 

铁电存储器PB85RS2MC性能特征：

• 容量：2M bit，接口类型：SPI接口(模式0和模式3)

• 工作电压：2.7伏至3.6伏，工作频率：25兆赫兹

• 功耗：4.8毫安（25兆赫兹），待机功耗9微安

• 高速读特性：支持40MHz高速读命令

• 工作环境温度范围：-40℃至85℃

• 封装形式：8引脚SOP宽体208mil封装，符合RoHS