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TA的资源

一粒金砂(初级)

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锐骏RU3070M2/ 30V/70A无线充、小家电N沟道先进功率MOSFET [复制链接]

特点
30伏/70A
Ros(ON=3平方米(典型值)@Vas=10V
RDS(on=3.6mQ(Typ.)@Vas=4.5V)
快速切换速度
低极电荷
100%雪崩测试
无铅绿色器件可供选择(符合RoHS指令

应用程序
交换应用系统

漏源电压:30V
VGsS栅源电压:±10V
最高结温:150℃
存储温度范围:-55岁至150岁℃
二极管连续正向电流:温度=25摄氏度20A

300ps脉冲漏极电流测试
温度=25摄氏度:250A  T.温度为25摄氏度:70A   连持续漏电流@TC  (VG=10V)  连续漏极电流@T(Vgs=10V)  TA=70摄氏度:16A
温度=25摄氏度:45A  最大功耗@Tc  温度=100摄氏度:18A  25摄氏度:3.6A  最大功耗@TA  TA=70摄氏度:2.3A

封装:
设备: RU3070M2   标记:3070       包裹:PDFN3333    包装:磁带和卷盘
量:5000 卷筒尺寸:13"    磁带宽度:12mm
18028336758(微信同步)QQ:3204716840

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