NANDFLASH ECC校验出错~奇怪了~

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NANDFLASH ECC校验出错~奇怪了~ [复制链接]

BSP中的FMD.CPP驱动怎么不一样呢？同样的ReadBlock(DWORD dwBlock, LPBYTE pbBlock, PSectorInfo pSectorInfoTable)当LPBYTE pbBlock不为空时，ECC校验就错了~~是不是驱动问题啊~~~

BOOL FMD_ReadSector(SECTOR_ADDR startSectorAddr, LPBYTE pSectorBuff, PSectorInfo pSectorInfoBuff, DWORD dwNumSectors)
{
    ULONG SectorAddr = (ULONG)startSectorAddr;
        ULONG MECC;

    if (!pSectorBuff && !pSectorInfoBuff)
        return(FALSE);

    BOOL bLastMode = SetKMode(TRUE);

    NF_nFCE_L();                        // Select the flash chip.
    NF_WAITRB();                                    // Wait for flash to complete command.

    NF_CMD(CMD_RESET);                                // Send reset command.
    NF_WAITRB();                                    // Wait for flash to complete command.
   
    while (dwNumSectors--)
    {
        ULONG blockPage = (((SectorAddr / NAND_PAGE_CNT) * NAND_PAGE_CNT) | (SectorAddr % NAND_PAGE_CNT));

                if (!pSectorBuff)
        {
            NF_CMD(CMD_READ2);                                    // Send read confirm command.
            NF_WAITRB();                                        // Wait for command to complete.

            NF_ADDR(0);                                            // Column = 0.
            NF_ADDR(blockPage         & 0xff);                    // Page address.
            NF_ADDR((blockPage >>  8) & 0xff);
                        if (NEED_EXT_ADDR)
                    NF_ADDR((blockPage >> 16) & 0xff);  
            NF_WAITRB();                                        // Wait for command to complete.

            RdPageInfo((PBYTE)pSectorInfoBuff);                    // Read page/sector information.

            pSectorInfoBuff++;
        }
                else
        {
            NF_CMD(CMD_READ);                                    // Send read command.
            NF_WAITRB();                                        // Wait for command to complete.

            NF_ADDR(0);                                            // Column = 0.
            NF_ADDR(blockPage         & 0xff);                    // Page address.
            NF_ADDR((blockPage >>  8) & 0xff);
                        if (NEED_EXT_ADDR)
                    NF_ADDR((blockPage >> 16) & 0xff);  
            NF_WAITRB();                                        // Wait for command to complete.

            //  Handle unaligned buffer pointer
                       NF_RSTECC();
                NF_MECC_UnLock();
            if( ((DWORD) pSectorBuff) & 0x3)
            {
                RdPage512Unalign (pSectorBuff);
            }
            else
            {
                RdPage512(pSectorBuff);                        // Read page/sector data.
            }
                NF_MECC_Lock();

                        if (pSectorInfoBuff)
                        {
                                RdPageInfo((PBYTE)pSectorInfoBuff);            // Read page/sector information.
                pSectorInfoBuff ++;
                        }
                        else
                        {
                BYTE TempInfo[8];
                                RdPageInfo(TempInfo);                                           // Read page/sector information.
                        }

                        MECC  = NF_RDDATA() << 0;
                        MECC |= NF_RDDATA() << 8;
                        MECC |= NF_RDDATA() << 16;
                        MECC |= NF_RDDATA() << 24;
                       
                        NF_WRMECCD0( ((MECC&0xff00)<<8)|(MECC&0xff) );
                         NF_WRMECCD1( ((MECC&0xff000000)>>8)|((MECC&0xff0000)>>16) );
                        
                         if (NF_RDESTST0 & 0x3)         
                         {
                            RETAILMSG(1,(TEXT("ecc error %x %x \r\n"),NF_RDMECC0(),MECC));
                       
                            NF_nFCE_H();                            // Deselect the flash chip.
                            SetKMode (bLastMode);
                                 return FALSE;       
                        }            
                pSectorBuff += NAND_PAGE_SIZE;
        }
        ++SectorAddr;
    }
    NF_nFCE_H();                        // Deselect the flash chip.

    SetKMode (bLastMode);

    return(TRUE);
}

forhelp

NFESTAT0 0x4E000024 NAND flash ECC status for I/O[7:0]
NFESTAT1 0x4E000028 NAND flash ECC status for I/O[15:8]

NF_RDESTST0 这个与0x3与 肯定非0啊~

33love

ECC.....唉，痛苦啊！

fiercewind

引用 1 楼 lightsoure 的回复:

NFESTAT0 0x4E000024 NAND flash ECC status for I/O[7:0]
NFESTAT1 0x4E000028 NAND flash ECC status for I/O[15:8]

NF_RDESTST0 这个与0x3与 肯定非0啊~

NF_RDESTST0这个参数干什么的？它的低两位有什么说法没有？
如果它的低两位是0的话，if (NF_RDESTST0 & 0x3)就不会成立的。

laxers

当LPBYTE pbBlock不为空时，ECC校验就错了
------pbBlock不为空就要读数据了，读数据就要ECC了

yinxun

#define NF_WRMECCD0(data)                        {s2440NAND->NFMECCD0 = (data);}
#define NF_WRMECCD1(data)                        {s2440NAND->NFMECCD1 = (data);}
#define NF_WRSECCD(data)                        {s2440NAND->NFSECCD = (data);}

#define NF_RDESTST0                                (s2440NAND->NFESTAT0)
#define NF_RDESTST1                                (s2440NAND->NFESTAT1)
NF_RDESTST0这个是ECC状态位  我的NAND是64M 的小页  这里是16位校验

我这里是读NAND的时候 ECC校验。。。出错了~因为我在写NAND的时候没有用到ECC校验

所以我想用这个方法来解决：就在仅仅做这个读NAND的时候不ECC校验，怎么做呢？我先读出NF_RDESTST0 这个值，如果是这个值 我就不做ECC校验。。当读出的NF_RDESTST0不是我定义的设定好的值，就做ECC校验，这样以后别人读NAND的时候还是可以用ECC校验的


我想要确认的是NF_RDESTST0这个值 应该会根据我WRITE NAND的不同变化的吧~如果是那么我想上面方法是可以的。

z997

NAND读写还是要做校验的，否则读出来的数据可能是错的，影响程序的执行。

20030201

引用 6 楼 veabol 的回复:
NAND读写还是要做校验的，否则读出来的数据可能是错的，影响程序的执行。

恩，理解，所以我想就仅仅做这1个读的时候，不做ECC可以吗？我加个判断~判断下是不是我不做ECC校验的读。。这个应该可以的吧

HJ1219

譬如说 我可以根据：Spare:ff ff ff ff 00 00 00 00 ff ff ff f0 00 00 00 00
这个值来定 要不要ECC

2001033231

解决
2种方法：
1，在写NAND的时候FMD_WriteSector进行ECC检验，这样读的时候再写时候根据得到的数据检验就过了

2，先读出要读的NF_RDESTST0的值，加个判断。。。。。。。。不过这样觉得不妥。。呵呵

选了前者

gtt

引用 9 楼 lightsoure 的回复:
1，在写NAND的时候FMD_WriteSector进行ECC检验，这样读的时候再写时候根据得到的数据检验就过了

写的时候截获然后先保存到RAM中？读的时候不从NAND中读出来？

liukaiyue

你这个是什么nand呀？

icad

引用 10 楼 veabol 的回复:
引用 9 楼 lightsoure 的回复:
1，在写NAND的时候FMD_WriteSector进行ECC检验，这样读的时候再写时候根据得到的数据检验就过了


写的时候截获然后先保存到RAM中？读的时候不从NAND中读出来？

我这个是1208 NAND 64M  小页
我的理解是ECC校验会对512字节产生校验码，然后在写的时候，把他存在每个PAGE外带的16字节的setor spare中去，然后再读NAND的时候，先把512字节数据读出来，
if (pSectorInfoBuff)
                        {
                                RdPageInfo((PBYTE)pSectorInfoBuff);            // Read page/sector information.
                pSectorInfoBuff ++;
                        }
                        else
                        {
                BYTE TempInfo[8];
                                RdPageInfo(TempInfo);                                           // Read page/sector information.
                        }

然后经过处理，
MECC  = NF_RDDATA() << 0;
                        MECC |= NF_RDDATA() << 8;
                        MECC |= NF_RDDATA() << 16;
                        MECC |= NF_RDDATA() << 24;
                       
                        NF_WRMECCD0( ((MECC&0xff00)<<8)|(MECC&0xff) );
                         NF_WRMECCD1( ((MECC&0xff000000)>>8)|((MECC&0xff0000)>>16) );


这个值NF_RDESTST0（ECC校验状态位低8位）与0X3比较  判断

ttlcoms

Spare:ff ff ff ff 00 00 00 00 ff ff ff f0 00 00 00 00  这个就是我用工具烧录NAND数据后，从NAND PAGE中读到的信息

yzmb1985

S6dAvmT2sRr
顶啊顶啊
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