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将累计计数的数据写入Flash:在每次计数变化时,将最新的计数值写入Flash的某个特定地址。这样即使断电后,计数值仍然可以被保留下来。下次开机时,读取Flash中的计数值并继续计数。
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使用擦写算法来扩展Flash的寿命:由于Flash的擦写寿命有限,当需要频繁地更新数据时,可能会导致寿命的快速损耗。为了减少对特定Flash区域的反复擦写,可以考虑使用擦写算法,比如在每次计数变后,将新的计数值写入下一个可用的Flash地址,从而实现数据的轮转存储。这样可以平均分配擦写操作,延长Flash的使用寿命。
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考虑使用NVRAM技术:除了内部Flash,还可以考虑使用非易失性随机存储器(NVRAM)来保存数据。NVRAM拥有类似EEPROM的数据保存能力,但比EEPROM寿命更长。通过使用NVRAM,可以更好地解决擦写寿命的问题。
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