【STM32H5开发板】第四篇 低功耗部分电流测试

常见泽1

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  第四篇 STM32H5开发笔记之低功耗部分电流测试 

 

看下nucleo板子

 

 

要想测试电流，则需要跳开JP5，接上电流表

 

一 睡眠电流测试

1测试条件将所有的外设时钟全部关闭

2时钟从100遍历到250MHz

3 LDO regular on

4 SMPS

 

 

 

LDO和SMPS的配置参考下图所示：

 

 

 

 

下面开始测试，通过电流表介入IDD measure

 

  

测试电流万用表显示结果
 

 

测试数据如下表所示：

 

Vos0	250 MHz	14.91 mA
Vos0	200 MHz	12.55 mA
VOS1	200 MHz	10.51 mA
VOS1	180 MHz	9.6 mA
VOS1	150 MHz	8.45 mA
VOS2	150 MHz	7.4 mA
VOS2	100 MHz	5.6 mA
VOS3	100 MHz	4.9 mA

 

和数据手册里的数据差不多的。

 

二 STANDBY模式测试

参考数据手册如下图所示

 

 

 

Standby模式应该和STM32F103或者STM32F407等一样，进入这个低功耗模式，所有的IO口都自动为高阻，不需要单独配置的

调用用官方的程序

上电进入Standby模式,  HAL_PWR_EnterSTANDBYMode();

屏蔽所有唤醒的引脚，进行电流测试，测试出来的电流大约是10ua+，是比手册里大的，应该是哪个地方还存在部分漏电流。 

 

lugl4313820

这个测试用心了，好象相比U5，这个工作电流大一些，看来性能型的MCU，功耗不是他的强项吧。

wangerxian

250MHz才15ma？感觉也不是很高。是没有开启任何外设吗？

常见泽1

wangerxian 发表于 2023-5-9 09:24 250MHz才15ma？感觉也不是很高。是没有开启任何外设吗？

sleep睡眠模式的哦 不是运行模式 运行模式就大了

wangerxian

常见泽1 发表于 2023-5-9 11:18 sleep睡眠模式的哦 不是运行模式 运行模式就大了

哦哦哦，我以为运行模式呢，我就说呢。