可控硅驱动问题

zhuyu630

可控硅驱动问题 [复制链接]

 

如图，两种驱动电路有什么区别，哪种更合理

maychang

【两种驱动电路有什么区别，哪种更合理】

两种电路仅负载和可控硅的位置不同，没有什么大区别。

damiaa

第二个图  控制火线的通断

lugl4313820

学习学习

maychang

damiaa 发表于 2023-2-9 09:24 第二个图  控制火线的通断

【第二个图  控制火线的通断】

第一图，控制的不是火线的通断？第一图也是控制火线吧？

Gen_X

一般认为，被控用电器如果是和人有关的活动，则用第二个方案，必须控制 L。

zhuyu630

Gen_X 发表于 2023-2-9 10:04 一般认为，被控用电器如果是和人有关的活动，则用第二个方案，必须控制 L。

两个都是控制L线

zhuyu630

maychang 发表于 2023-2-9 10:03 【第二个图  控制火线的通断】 第一图，控制的不是火线的通断？第一图也是控制火线吧？

两个电路都能控制L线

Gen_X

Gen_X 发表于 2023-2-9 10:04 一般认为，被控用电器如果是和人有关的活动，则用第二个方案，必须控制 L。

没注意，两个都可以，下面一个更安全点。

zhuyu630

Gen_X 发表于 2023-2-9 10:14 没注意，两个都可以，下面一个更安全点。

怎么理解呢，还请赐教

zhuyu630

maychang 发表于 2023-2-9 09:18 【两种驱动电路有什么区别，哪种更合理】 两种电路仅负载和可控硅的位置不同，没有什么大区别。

是否可以理解为可控硅触发的相性不同

maychang

zhuyu630 发表于 2023-2-9 10:19 是否可以理解为可控硅触发的相性不同

【是否可以理解为可控硅触发的相性不同】

把第一图中可控硅、电阻R1都上下对调，就是第二图。两图中都是(按照图中标注)T2对T1为正时G正触发，T2对T1为负时G负触发。所以没有触发相性的不同。

damiaa

楼主零线接哪里？

chunyang

没啥差别，可随便用，只要控L就行。

zhuyu630

damiaa 发表于 2023-2-9 14:48 楼主零线接哪里？

N接N啊

zhuyu630

maychang 发表于 2023-2-9 11:47 【是否可以理解为可控硅触发的相性不同】 把第一图中可控硅、电阻R1都上下对调，就是第二图。两图中都 ...

感谢你的回复，借题发挥一下，图中的R1 1K电阻这个值具体该怎么计算呢

zhuyu630

chunyang 发表于 2023-2-9 15:55 没啥差别，可随便用，只要控L就行。

好的

maychang

zhuyu630 发表于 2023-2-10 08:39 感谢你的回复，借题发挥一下，图中的R1 1K电阻这个值具体该怎么计算呢

这个电阻可选择的范围相当宽。

该电路是用右边的三极管控制光耦使可控硅触发，而可控硅两端电压可能为零到交流峰值。触发可控硅需要对门极施加一定电压，门极流过一定电流，可控硅才能够被触发。为了使可控硅两端电压相当低的时候(交流电刚刚过零)就可以触发可控硅，该电阻应该尽量小一些以在可控硅两端电压比较低时也能够得到较大电流满足可控硅触发电流条件。另一方面，可控硅两端电压最高是交流电峰值，如果电阻较小，可控硅门极允许的瞬间电流就会过大，超出允许限度。由此，该电阻应该根据可控硅门极允许的瞬间电流并根据交流峰值电压计算。

kissxpchao

正在学习，努力学习，都是大神