非对称多谐振荡电路分析和图像问题

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非对称多谐振荡电路分析和图像问题 [复制链接]

 

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   上图中突变的峰值如何确定，为什么峰值会超过电源电压？

maychang

『上图中突变的峰值如何确定，为什么峰值会超过电源电压？』

电压峰值在你贴出的图片中已经标注，红色圈里面就是。

zzjzzjzzj

maychang 发表于 2022-12-4 19:57 『上图中突变的峰值如何确定，为什么峰值会超过电源电压？』 电压峰值在你贴出的图片中已经标注，红色圈 ...

张老师，为什么是这个值

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maychang 发表于 2022-12-4 19:57 『上图中突变的峰值如何确定，为什么峰值会超过电源电压？』 电压峰值在你贴出的图片中已经标注，红色圈 ...

超过门槛电压会正反馈到最大值VDD，为什么是VDD+VTH

maychang

『上图中突变的峰值如何确定，为什么峰值会超过电源电压？』

注意图中的电容C。

当该多谐振荡电路翻转时(例如ov2上升沿)，电容两端电压为VTH，反相器G2输出端电压由接近于零跳变到接近于VDD，而电容两端电压不能突变，那么vi1显然是从VTH跳变为VTH＋VDD。一个周期内的另一次翻转，可以同样的方法分析。

maychang

zzjzzjzzj 发表于 2022-12-4 20:05 超过门槛电压会正反馈到最大值VDD，为什么是VDD+VTH

反相器G2输出端是从接近于零跳变到接近于VDD，或者从接近于VDD跳变到接近于零。跳变时电容两端电压是VTH，所以电容的另一端也就是Rp左边就是直流电源电压加减门槛电压。

maychang

zzjzzjzzj 发表于 2022-12-4 20:05 超过门槛电压会正反馈到最大值VDD，为什么是VDD+VTH

只要CMOS工艺的反相器，才适用首帖图中公式。若是TTL工艺反相器，因输出低电平不能接近于零，高电平也不能接近于电源电压，此式必须修正，那就比较复杂了。

zzjzzjzzj

maychang 发表于 2022-12-4 20:08 『上图中突变的峰值如何确定，为什么峰值会超过电源电压？』 注意图中的电容C。 当该多谐振荡电路翻 ...

谢谢张老师，我明白了，这边加了电容之后，书本的描述把我搞糊涂了

zzjzzjzzj

maychang 发表于 2022-12-4 20:16 只要CMOS工艺的反相器，才适用首帖图中公式。若是TTL工艺反相器，因输出低电平不能接近于零，高电平也不 ...

我学这里已经很懵了，学到这边，前面的电路都忘了，还是不太会分析