【贝能高性价比ATSAMD51评估板】NVM-UROW编程测试-使能RAM ECC

qinyunti

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NVM特征

• 两个bank，一个写时另外一个可以读
• 2x32bits AHB接口用于读写，32bits APB接口用于命令和配置
• SmartEEPROM
• 等待状态可配置优化读
• 区域可单独配置保护
• Bootloader的额外保护
• 支持安全位，设备保护
• Sleep模式可以关闭flash
• Sleep退出时可选唤醒
• 每个AHB接口单独cache
• 带ECC

 

 

框图

 

NVM User Row Mapping (UROW)

参见《9.4 NVM User Row Mapping (UROW)》

 

0x00804000处512字节

前面32字节为配置信息，启动时自动加载到相应的寄存器。

后面480字节为用户可自由使用。

 

注意如果需要修改，则先将前面32字节读出来，然后修改需要修改的内容，再回写，保持前面32字节内容不被破坏。

 

比如我们要使能RAMECC则需要将bit39 RAM ECCDIS设置为0

 

 

 

可以仿真查看当前值如下

 

 

操作

配置如下

 

 

自动生成的代码见

plib_nvmctrl.c

plib_nvmctrl.h

对应UROW操作的读写接口是

NVMCTRL_Read

NVMCTRL_USER_ROW_RowErase

NVMCTRL_USER_ROW_PageWrite

按照先读-修改-擦除-写的操作进行修改。

 

以修改使能RAM ECC为例

前面看到RAM ECCDIS对应bit39，我们先读出512字节内容再，修改bit39为0，使能RAM ECC

 

以上一篇的demo工程为基础

修改main.c

void print_buffer(uint8_t* data,uint32_t len)

{

printf("\r\n");

for(int i=0;i<len;i++)

  {

   printf("%02x ",data);

 if(i%16==15)

     {

      printf("\r\n");

 }

}

}

 

uint8_t buffer[NVMCTRL_USERROW_PAGESIZE] __attribute__ ((aligned (4)));

 

int main ( void )

{

    /* Initialize all modules */

    SYS_Initialize ( NULL );

  SYSTICK_TimerStart();

    PORT_REGS->GROUP[1].PORT_PINCFG[24] = 0x1U;

    PORT_REGS->GROUP[1].PORT_PINCFG[25] = 0x1U;

    PORT_REGS->GROUP[1].PORT_PMUX[12] = 0x33U;

printf("Hello Burnon ATSAMD51 EVK");

 

  NVMCTRL_Read((uint32_t*)buffer,NVMCTRL_USERROW_PAGESIZE,NVMCTRL_USERROW_START_ADDRESS);

  print_buffer(buffer,NVMCTRL_USERROW_PAGESIZE);

  buffer[4] &= 0x7F;  //bit39=0 enable ramecc

  //buffer[4] |= 0x80; //bit39=1 disable ramecc

NVMCTRL_USER_ROW_RowErase(NVMCTRL_USERROW_START_ADDRESS);

  NVMCTRL_USER_ROW_PageWrite((uint32_t*)buffer,NVMCTRL_USERROW_START_ADDRESS);

NVMCTRL_Read((uint32_t*)buffer,NVMCTRL_USERROW_PAGESIZE,NVMCTRL_USERROW_START_ADDRESS);

  print_buffer(buffer,NVMCTRL_USERROW_PAGESIZE);

    while ( true )

    {

        /* Maintain state machines of all polled MPLAB Harmony modules. */

        SYS_Tasks ( );

    }

 

    /* Execution should not come here during normal operation */

 

    return ( EXIT_FAILURE );

}

 

 

打印可以看到byte[4],80变为了00，说明修改成功。

Byte[17] byte[18]之前改为了0，这里一并改为了默认值0x40，0x80.

 

 

 

修改之后发现程序运行异常了进入了hardfault

 

这是因为使能RAM ECC后RAM有效区域减半，需要i需改分散加载文件

0x40000改为0x20000

 

 

参考

《25. NVMCTRL – Nonvolatile Memory Controller》

 

总结

借助自动成成的库文件，能方便的进行UROW的修改，本篇也进行了使能RAM ECC的操作，为RAM ECC测试做准备。

Jacktang

楼主的NVM-UROW编程测试不错

wangbo411326

感谢楼主测试