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zzjzzjzzj

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一粒金砂（中级）
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发表于2022-11-25 16:42 只看该作者
 

关于CMOS双向模拟开关认识问题 [复制链接]

 

邀请：@maychang   @sjl2001   @huo_hu   @gmchen   参与回复

 疑问：CMOS传输门内部是一个P沟道MOS和N沟道MOS对接，当C高电平时下端的N管是导通的，当C为低电平的时候上端PMOS管基极为低电平不也是导通？大佬们我是哪里理解有问题？

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maychang
集成电路工艺影响电路设计。例如模拟集成电路(典型的例子是运算放大器)，总是尽量少用电阻，多用三极管。这是因为，双极型集成电路中，一个二极管要占用比一个三极管更大的面积，一个电阻也要占用比一个三极管更大的面积。所以，设计者宁愿用一个三极管基极发射极短路来代替一个二极管，用恒流源电路来代替负载电阻。   详情 回复 发表于 2022-11-26 20:11
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maychang

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沙发
发表于2022-11-25 17:35 只看该作者
 

【当C为低电平的时候上端PMOS管基极为低电平不也是导通？】

MOS管可没有什么基极，只有一个 gate，通常译为门极，也有些教材上叫做栅极。

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zzjzzjzzj
哦哦我说错了，是栅极  详情 回复 发表于 2022-11-25 17:52

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模拟电子资料  模拟电子电路图  模拟电子技术
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maychang

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板凳
发表于2022-11-25 17:39 只看该作者
 

【当C为低电平的时候上端PMOS管基极为低电平不也是导通？】

C端经过反相器再接到P沟管门极，所以C端低电平时P沟管不会导通。

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哦哦，老师，我知道我理解错了，我刚刚以为负号上端有个取反的圈以为是内部集成了一个反向器，是低电平有效，老师yyds  详情 回复 发表于 2022-11-25 17:54

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一粒金砂（中级）
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 楼主| 发表于2022-11-25 17:52 只看该作者
 
maychang 发表于 2022-11-25 17:35 【当C为低电平的时候上端PMOS管基极为低电平不也是导通？】 MOS管可没有什么基极，只有一个 gate，通常 ...

哦哦我说错了，是栅极

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一粒金砂（中级）
5楼
 楼主| 发表于2022-11-25 17:54 只看该作者
 
maychang 发表于 2022-11-25 17:39 【当C为低电平的时候上端PMOS管基极为低电平不也是导通？】 C端经过反相器再接到P沟管门极，所以C端低电 ...

哦哦，老师，我知道我理解错了，我刚刚以为负号上端有个取反的圈以为是内部集成了一个反向器，是低电平有效，老师yyds

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maychang

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6楼
发表于2022-11-25 18:03 只看该作者
 

这是74HC4066每个通道的电原理图，其工作一看便知。

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老师，左下部分是不是不工作的时候呈现高阻态？  详情 回复 发表于 2022-11-25 18:22
zzjzzjzzj
[attachimg]660050[/attachimg] 老师，我看了许久，左边的设计没看出来  详情 回复 发表于 2022-11-25 18:14
 
 
 
 
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一粒金砂（中级）
7楼
 楼主| 发表于2022-11-25 18:14 只看该作者
 
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maychang
15楼图中，控制信号nE经反相后联接到T4门极，T4衬底联接到VCC，故nE高电平时T4门极低电平，T4是P沟管，由此nE高电平时T4导通。 nE反相后也送到T5门极T5衬底与沟道一端联接到地(电源负端)，T5是N沟管，故nE高电平  详情 回复 发表于 2022-11-26 10:07
maychang
前面说到小功率MOS管沟道两端是对称的，可以互换使用。但是，如果衬底与沟道两端之一联接，情况就完全不一样了。与衬底联接的那一端称为源极，另一端就是漏极。7楼图中，有两个MOS管衬底与沟道一端联接，另三个没有  详情 回复 发表于 2022-11-26 09:51
maychang
为叙述简单明确起见，7楼图加上标号，并将T5漏极处(也就是T3衬底)注为A点。 [attachimg]660116[/attachimg]  详情 回复 发表于 2022-11-26 09:46
maychang
上图复制自《基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计》384页， 这样联接的两个互补的MOS管，两个管子均不分漏极和源极，因为管子的沟道本来就是对称的。 7楼图中，右边的两个管子恰是互补的，而且最右边的P沟  详情 回复 发表于 2022-11-26 09:30
maychang
[attachimg]660112[/attachimg]由此我们可以得到如上图的模拟开关基本电路。图中两个互补的MOS管，一个N沟管和一个P沟管并联，两个管子的门极一个接电源正端一个接电源负端。当控制信号输入端为高电平时，N沟管因衬  详情 回复 发表于 2022-11-26 09:21
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一粒金砂（中级）
8楼
 楼主| 发表于2022-11-25 18:22 只看该作者
 
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9楼
发表于2022-11-25 19:05 只看该作者
 
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没事，老师百忙之中能回复就万分感激，让我很有信心学下去  详情 回复 发表于 2022-11-25 20:45
 
 
 
 
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一粒金砂（中级）
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 楼主| 发表于2022-11-25 20:45 只看该作者
 
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11楼
发表于2022-11-26 08:44 只看该作者
 
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12楼
发表于2022-11-26 09:07 只看该作者
 
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13楼
发表于2022-11-26 09:21 只看该作者
 
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14楼
发表于2022-11-26 09:30 只看该作者
 
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老师，分析的很细，收益匪浅  详情 回复 发表于 2022-11-26 10:40

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17楼
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老师，状态学会判断了，左侧两个管子只是配合下面管子一起对右边第二个管子衬底电位的控制？  详情 回复 发表于 2022-11-26 11:03

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18楼
 楼主| 发表于2022-11-26 10:40 只看该作者
 
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19楼
发表于2022-11-26 11:00 只看该作者
 
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一粒金砂（中级）
20楼
 楼主| 发表于2022-11-26 11:03 只看该作者
 
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maychang
【左侧两个管子只是配合下面管子一起对右边第二个管子衬底电位的控制？】 是这样的。至于为什么搞这么复杂的电路，我不知道，有可能是工艺上无法做出简单的如13楼那样的电路，不得已而为。  详情 回复 发表于 2022-11-26 11:10
 
 
 
 
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