为什么这个MOS管的参数 ，这个是V GSth跟TJ的温度关系，为啥还有条件VGS=VDS?

小太阳yy

为什么这个MOS管的参数 ，这个是V GSth跟TJ的温度关系，为啥还有条件VGS=VDS? [复制链接]

 

 

为什么这个MOS管的参数 ，这个是V GSth跟TJ的温度关系，为啥还有条件VGS=VDS? 为啥要有这个条件呢 ？ 

还有下面这个ID跟VGS的关系，为啥有加个条件VDS=-6v? 这也不对啊，，完全导通的时候 DS间的内阻不是很小吗 ？ 10mΩ多，怎么电压是-6V那么高呢

 

 

qwqwqw2088

VGS(th)是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。

可以先了解一下，VGS值的阈值电压或开启电压，用VGS（th）表示的

maychang

『为什么这个MOS管的参数 ，这个是V GSth跟TJ的温度关系，为啥还有条件VGS=VDS? 为啥要有这个条件呢 ？』

MOS管开启电压除受温度影响外，还与漏极电压有关。当然需要规定测试时的条件。

这样规定，实际上是把门极漏极联接在一起，对门极施加固定电流，测量门极上的电压。改变温度，再测量另一温度下开启电压。

maychang

『还有下面这个ID跟VGS的关系，为啥有加个条件VDS=-6v? 这也不对啊，，完全导通的时候 DS间的内阻不是很小吗 ？ 10mΩ多，怎么电压是-6V那么高呢』

你怎么不看看此时漏极电流已经上百安培了？况且此时MOS管并未完全导通。

小太阳yy

qwqwqw2088 发表于 2022-9-19 07:31 VGS(th)是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。 可以先了解一下，VGS值的阈 ...

老铁你每次回答的都跟我问的对不上，完美避开我的问题，哈哈

小太阳yy

maychang 发表于 2022-9-19 12:04 『为什么这个MOS管的参数 ，这个是V GSth跟TJ的温度关系，为啥还有条件VGS=VDS? 为啥要有这个条件呢 ？』 ...

您说的开启电压受漏级电压的影响，是受漏级对地电压的影响吗，还是DS间的电压？

小太阳yy

maychang 发表于 2022-9-19 12:06 『还有下面这个ID跟VGS的关系，为啥有加个条件VDS=-6v? 这也不对啊，，完全导通的时候 DS间的内阻不是很小 ...

现在搞不懂这个DS间的电压是故意外加的呢？还是当GS间的电压达到一定的值之后，通过的那么大电流之后ds一直是6v？这个电流大小是谁控制的呀？

maychang

小太阳yy 发表于 2022-9-19 12:17 您说的开启电压受漏级电压的影响，是受漏级对地电压的影响吗，还是DS间的电压？

『开启电压受漏级电压的影响，是受漏级对地电压的影响吗，还是DS间的电压？』

是漏极与源极之间的电压。

不过，测试V GSth时信号是门极对源极的电压，所以源极是输入与输出的公共端，把源极当做  “地” 也可以。

maychang

小太阳yy 发表于 2022-9-19 12:19 现在搞不懂这个DS间的电压是故意外加的呢？还是当GS间的电压达到一定的值之后，通过的那么大电流之后ds一 ...

『现在搞不懂这个DS间的电压是故意外加的呢？还是当GS间的电压达到一定的值之后，通过的那么大电流之后ds一直是6v？』

当然是外加的，且在测量过程中保持不变。

maychang

小太阳yy 发表于 2022-9-19 12:19 现在搞不懂这个DS间的电压是故意外加的呢？还是当GS间的电压达到一定的值之后，通过的那么大电流之后ds一 ...

『这个电流大小是谁控制的呀？』

首帖第二幅图，横坐标为VGS，纵坐标为ID。数学上通常规定横坐标为自变量，纵坐标为函数。你说ID是谁控制的？

小太阳yy

maychang 发表于 2022-9-19 12:28 小太阳yy 发表于 2022-9-19 12:19 现在搞不懂这个DS间的电压是故意外加的呢？还是当GS间的电压达到一定的 ...

那我可以这样理解吗老师，当我把mos做开关使用时，gs间的电压决定了ds间内阻的大小，而ds间的电流是外面控制电路决定的电流，这个电流跟电阻决定了ds间的电压大小，这样理解正确吗？如果gs间的电压不能达到导通电压的话，那么外电路的电流就会很小，上不去，是这意思吗

maychang

小太阳yy 发表于 2022-9-19 13:09 那我可以这样理解吗老师，当我把mos做开关使用时，gs间的电压决定了ds间内阻的大小，而ds间的电流是外面 ...

『当我把mos做开关使用时，gs间的电压决定了ds间内阻的大小，而ds间的电流是外面控制电路决定的电流，这个电流跟电阻决定了ds间的电压大小，这样理解正确吗？』

N沟MOS管当做开关使用，GS之间电压要么为很小(接近于零甚至为负)，此时MOS管关断，DS之间电阻非常大，要么足够大(超过VGSTH很多，但小于允许值)，此时MOS管充分导通，DS之间电阻非常小。

DS之间的电流，在MOS管当做开关使用时，要么非常小(此时MOS管关断)，要么由外电路(电源和负载)决定(此时MOS管充分导通)。MOS管充分导通时，DS之间电压应该很小(由电流和MOS管的导通电阻决定，此时已经不受GS之间电压控制)。

maychang

小太阳yy 发表于 2022-9-19 13:09 那我可以这样理解吗老师，当我把mos做开关使用时，gs间的电压决定了ds间内阻的大小，而ds间的电流是外面 ...

『如果gs间的电压不能达到导通电压的话，那么外电路的电流就会很小，上不去，是这意思吗』

是这个意思。

maychang

小太阳yy 发表于 2022-9-19 13:09 那我可以这样理解吗老师，当我把mos做开关使用时，gs间的电压决定了ds间内阻的大小，而ds间的电流是外面 ...

『如果gs间的电压不能达到导通电压的话，那么外电路的电流就会很小，上不去，是这意思吗』

当然，GS之间电压够大的话，如果DS之间电压非常小(由外电路决定)的话，电流也上不去。只不过GS之间电压变化对D极电流的影响要比DS之间电压变化对D极电流的影响在一定范围内要大得多。

小太阳yy

maychang 发表于 2022-9-19 14:13 『如果gs间的电压不能达到导通电压的话，那么外电路的电流就会很小，上不去，是这意思吗』 当然，GS之 ...

明白了 老师，感谢感谢