碳化硅与MOSFET和IGBT有何区别

bigbat

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碳化硅MOSFET与硅MOSFET和IGBT有何区别？MOSFET和IGBT比较区别比较明显，MOSFET开关速度快IGBT速度慢，MOSFET耐压不如IGBT高，MOSFET的负载电流小IGBT比较大，MOSFET不适合的地方需要选取IGBT。碳化硅MOSFET也是MOSFET所以MOSFET的优点都有，但同时碳化硅要比MOSFET耐压要高很多，大概是MOSFET的三倍，轻松达到上千，那么碳化硅的电流呢，是否也可以达到IGBT的水平，当然随着应用的普及碳化硅是否可以完全取代IGBT，当然价格也是在不断的下降，就像锗被硅完全的取代一样。

tianmeimei

开关损耗特性可以明确的是：SiC-MOSFET优于IGBT；SiC MOSFET也已经具有广泛工业应用所要求的质量水平。

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好像是SiC-MOSFET各方面优于IGBT除了价格，但是随着应用的深入价格也会逐步的降低。也许当价格和IGBT相当时也许IGBT就会消失

radish800305

基体材料不同，导电性能不同，工艺步骤不同

radish800305

驱动，从新设计，效率提高

吾妻思萌

一个场效应 一个晶体管 原理不一样，构造不一样，俩东西 不过某些情况用起来能互换

bigbat

吾妻思萌 发表于 2022-8-27 19:24 一个场效应 一个晶体管 原理不一样，构造不一样，俩东西 不过某些情况用起来能互换

IGBT不是单纯的晶体管，而是MOSFET+GTR的结构，所以不能把IGBT看作是晶体管，说晶体管有点笼统，还是GTR比较准确一些。GTR和BJT的构造还是不一样的。GTR也是一种复杂结构的复合管

吾妻思萌

bigbat 发表于 2022-8-28 08:41 IGBT不是单纯的晶体管，而是MOSFET+GTR的结构，所以不能把IGBT看作是晶体管，说晶体管有点笼统，还是GTR ...

是的，不是简单BJT，GTR是晶闸管吧，我印象里，书上的东西不是还给老师了，就压根没记住啊QAQ

bigbat

吾妻思萌 发表于 2022-8-28 19:05 是的，不是简单BJT，GTR是晶闸管吧，我印象里，书上的东西不是还给老师了，就压根没记住啊QAQ

晶闸管是可控硅两者是一种东西（SCR），晶闸管是一触发就不可控的器件，也称“半可控”。GTR是强型三极管，也称巨型三极管或电力三极管，是一种结构复杂的复合结构的晶体管。制造工艺非常复杂，可以耐高压，超大电流。