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一粒金砂(初级)

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BMS国产化路程,国产110V DCDC电源IC TS16E13,替代LM5164 [复制链接]

传统的高压DCDC普遍待机>300µA,加之系统的损耗很难满足<400µA的标准。所以为了实现BMS的低待机问题,应用工程师往往需要给BMS做两路供电: 低待机的LDO +高压DCDC采用TS16E13BMS可以在不关掉降压转换器TS16E13的情况下,轻松搞定待机<400µA的要求。这样无需额外的LDO来给MCU供电,可以将MCU一直连接在DCDC的输出上,节省一路LDO,使得布板更加简单,提高系统可靠性并优化成本

TS16E13 采用了高达110V的工艺制程,保证其具有超高的可靠性,保证BMS在应对复杂外部环境时(比如电机的反电动势),更加的可靠,无需额外的保护器件,保证整个电池PACK的可靠性。TS16E13 无需复杂的三型补偿网络,直接采用电阻反馈即可,典型应用电路如下图所示。

特性:

  1. 输入电压 4.5V-110V
  2. 3A峰值电流
  3. 集成低RDS(ON) 内置MOSFET 500mΩ/240mΩ
  4. 频率1MHz
  5. 静态功耗100uA
  6. 3ms内置软启动时间
  7. 智能省电和超快瞬态回复
  8. 精度 ±1% 反馈参考
  9. 无环路补偿组件
  10. 逐周期过温过流保护
  11. ESOP8封装

 

产品介绍:

TS16E13支持4.5V-110V宽范围的输入。集成了主功率MOSFET和同步MOSFET,可以轻松支持持续1A的输出电流,针对特定应用场合也能够提供瞬时3A的输出电流能力。该款变换器采用了COT的控制架构,可以实现极好的负载动态响应。采用了自有专利的设计电路,既可以保证TS16E13拥有超低的待机功耗,同时可以快速退出待机模式,迅速响应负载需求。

TS16E13采用了轻载高效的工作模式,即便在轻载时也能够实现很高的效率,工作频率最高可以支持到1MHz。集成了多种保护模式过流保护、输出短路保护、过温保护,可靠性高。外围无需额外的三型补偿网络,使用简单。提供PGOOD指示功能,方便做时序控制。ESOP-8的封装形式,便于散热。

 

Detasheet

TS16E13 SPEC for shen.pdf (1.15 MB, 下载次数: 182)

 

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