[先楫HPM6750测评之二]coremark跑分验证(外部flash xip运行和内部sram运行比较)
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由于国内大多半导体厂家对于外部存储xip内存映射运行性能很差(也就是分所谓的零等待和非零等待区域),往往跑分宣传都是在SRAM(零等待区域)运行,导致用户在实际体验时候(代码区超过非零等待)也大受折扣。
先辑这块MCU,支持代码运行在FLASH XIP,同样也支持SRAM运行。那么两者差距有多大,这也是本贴需要验证的地方。
在实际验证当中,SRAM和FLASH XIP运行性能差距不大,相差150左右,代码放在外部flash运行,也是足够性能强大。
下图为在SRAM运行,跑分为4702分,比官方宣传的3965还要高些。
下图为FLASH XIP运行,跑分为4570分。与SRAM运行跑分相比,相差132分,性能差距不大,值得肯定。
下面楼主介绍coremark移植优化过程,在楼主上贴 [先楫HPM6750测评之一]两种IDE(SES和RS)开发平台体验 - 国产芯片交流 - 电子工程世界-论坛 (eeworld.com.cn) 中的基础工程进行添加。
这里的debug版本和release版本分别设置为flash xip运行配置和sram运行配置。
根据官方SDK的env生成的工程配置进行移植对比。需要注意几个点。
1、修改相关RV扩展
2、编译器优化选项添加
3、链接文件添加,flash xip和sram需要不同修改
flash xip
SRAM
4、宏定义修改,flash xip和sram需要不同修改
FLASH XIP运行需要加入FLASH_XIP=1
SRAM则不需要,继承于common
至此修改完毕,需要注意的是BOOT拨码的设置,如下图说明:
由此可知,当需要在SRAM运行时,需要拨码如下:
当需要在FLASH XIP运行时,需要拨码如下:
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