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图中两个PMOS串联起来使用目的是什么 [复制链接]

 
本帖最后由 普拉卡图 于 2022-4-22 14:05 编辑

如上图,因为位号太长,我重新标了Q1,Q2,R1,C1方便分析。

问题如下:

1.上面两个PMOS门极相接,源极相接串联起来使用的目的是什么? 

2.C1的作用使什么?

我先分析一下:

下管NMOS导通时,

电流通过Q1体二极管沿着绿线走,为了使门级有个低电平,所以串了R1。

可见R1是为提高压降,使PMOS能导通。

门极变低电平,两个Pmos导通。

那么这里C1的作用是什么了?

加了电容,通电时电容会有充电过程,所以我猜测时软启动?

因为电容增加了导通时间,会导致管子功耗加大,所以只能用103小电容。

 

下管NMOS关闭时,

PMOS门极均拉高,管子关闭。

 

回到一开始的问题:

1.上面两个PMOS门机相接,源极相接串联起来使用的目的是什么(个人猜测是提高耐压?) 

另外这种电路有没有特定的叫法或名字。

2.C1的作用是什么?

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你自己没仔细图吧?图左下角已经说明了,外部供电和板上供电,两个PMOS是用来选择电源轨道的,譬如无人机地面调试可以用外部供电,飞升之后就用电池供电了,至于电容C1,一个是抗干扰,防止误启动,另一个应该是可以作为浪涌抑制,相对于软启动。   详情 回复 发表于 2023-11-5 10:16
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注意,MOS管的DS是“背靠背”(当然也可以说是“面对面”)串联的,那可不是为了提高耐压(注意寄生二极管的极性)。楼主的电路不全,你把不同的电源标出来,再看看怎么汇集的就该明白了。类似的,C1也不是为了“软启动”。

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有点懂了,那C1的作用是?  详情 回复 发表于 2022-4-22 16:27
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1.上面两个PMOS门机相接,源极相接串联起来使用的目的是什么(个人猜测是提高耐压?) 

 

不是为了提高耐压,而是为了在两个方向上均可以 “关断”。当然,该电路也可以在两个方向上 “导通”。

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原来如此,是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧,因为这个原因用了两个背靠背的mos,从而实现双向控制。  详情 回复 发表于 2022-4-22 16:30
 
 
 

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『另外这种电路有没有特定的叫法或名字。』

可以叫它 “双向开关”。

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chunyang 发表于 2022-4-22 15:07 注意,MOS管的DS是“背靠背”(当然也可以说是“面对面”)串联的,那可不是为了提高 ...

有点懂了,那C1的作用是?

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C1的接入要求Q8307导通足够时间才能开启那两个背靠背MOS管,由此可见是为了应对Q8307在干扰下瞬态误导通的情况。毕竟Q8307是MOS管,输入阻抗较高,对干扰比较敏感。不过有没有这个必要,需要考察控制端。如果控制端  详情 回复 发表于 2022-4-22 17:57
 
 
 

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maychang 发表于 2022-4-22 15:19 1.上面两个PMOS门机相接,源极相接串联起来使用的目的是什么(个人猜测是提高耐压?)    ...

原来如此,是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧,因为这个原因用了两个背靠背的mos,从而实现双向控制。

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建议你如我前帖所言画上电源通路,根据通断两种情况分析不同电源之间的关系以及和只用一个MOS的情况做比较,这样更容易理解。  详情 回复 发表于 2022-4-22 17:59
『是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧』 是的。 单向控制,只能控制直流,双向控制,可以控制交流。虽然你的电路好像只有直流电源,但可能左右两侧都有电源,所以需要双向控制  详情 回复 发表于 2022-4-22 17:02
 
 
 

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普拉卡图 发表于 2022-4-22 16:30 原来如此,是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧,因为这个原因用了两个背 ...

『是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧』

是的。

单向控制,只能控制直流,双向控制,可以控制交流。虽然你的电路好像只有直流电源,但可能左右两侧都有电源,所以需要双向控制。

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前辈再请教一下,双向控制的本质是不是就是16楼小伙伴说的防倒灌作用呀?  详情 回复 发表于 2022-4-23 10:03
了解了,谢谢前辈!  详情 回复 发表于 2022-4-22 18:30
 
 
 

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普拉卡图 发表于 2022-4-22 16:27 有点懂了,那C1的作用是?

C1的接入要求Q8307导通足够时间才能开启那两个背靠背MOS管,由此可见是为了应对Q8307在干扰下瞬态误导通的情况。毕竟Q8307是MOS管,输入阻抗较高,对干扰比较敏感。不过有没有这个必要,需要考察控制端。如果控制端为低阻抗输出,且非长线连接,该电容就没有必要。

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了解了,谢谢前辈!  详情 回复 发表于 2022-4-22 18:30
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普拉卡图 发表于 2022-4-22 16:30 原来如此,是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧,因为这个原因用了两个背 ...

建议你如我前帖所言画上电源通路,根据通断两种情况分析不同电源之间的关系以及和只用一个MOS的情况做比较,这样更容易理解。

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chunyang 发表于 2022-4-22 17:57 C1的接入要求Q8307导通足够时间才能开启那两个背靠背MOS管,由此可见是为了应对Q8307在干扰下瞬态误导通 ...

了解了,谢谢前辈!

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看到你的回帖提醒消息进来看看,顺便也看到其它的回帖,看来还是得进一步解释一下C1的引入为什么不是为了软启动。 有两个原因: 首先,从功能上讲,DS反向串联的双MOS开关电路应用最多的就是电源切换,主帖图  详情 回复 发表于 2022-4-25 23:37
 
 
 

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maychang 发表于 2022-4-22 17:02 『是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧』 是的。 单向控制,只能控 ...

了解了,谢谢前辈!

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不使用两个MOS管,改用一个整流桥再加一个MOS管也可以实现双向开关目的。MOS管接在整流桥直流输出端,整流桥两个交流端即为双向开关。  详情 回复 发表于 2022-4-22 18:35
 
 
 

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本帖最后由 maychang 于 2022-4-22 18:36 编辑
普拉卡图 发表于 2022-4-22 18:30 了解了,谢谢前辈!

不使用两个MOS管,改用一个整流桥再加一个MOS管也可以实现双向开关目的。MOS管接在整流桥直流输出端,整流桥两个交流端即为双向开关。不过,这样的双向开关压降比较大,是两个二极管压降加上MOS管压降。

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C1的作用是抑制开通时的浪涌电流,作为直流开关必备的,对于楼主选用的MOSFET来说,10nF还太小,后面挂几千uF试试,分分死给你看

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所以这个电容容量的一般取值范围是多少呢,大了肯定不行吧?或者说,这个开关不是用在快速通断的场景,电容大点也没关系?  详情 回复 发表于 2022-4-23 09:30
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密勒平台的时长直接决定MOSFET的SOA

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提问题有自己的分析理解,有对问题的疑惑,清晰明了,给个赞。

C1就是缓启动,EE不是在搞移动电源拆解吗,让他们在里面找找,大部分快充移动电源都有类似功能模块,不然适配器容易被拉死

 

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纯净的硅(高级)

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我认为两个MOS管这样的做还有一个很重要的做作用就防止电压电流倒灌.

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防倒灌这个是很关键的一点!谢谢您的提醒!  详情 回复 发表于 2022-4-23 09:54
 
 
 

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PowerAnts 发表于 2022-4-22 21:22 C1的作用是抑制开通时的浪涌电流,作为直流开关必备的,对于楼主选用的MOSFET来说,10nF还太小,后面挂几千 ...

所以这个电容容量的一般取值范围是多少呢,大了肯定不行吧?或者说,这个开关如果不是用在快速通断的场景,电容大点也没关系?

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这个三言两语说不清,就算录个视频也得整整一集才讲得清楚  详情 回复 发表于 2022-4-23 10:27
 
 
 

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Fred_1977 发表于 2022-4-23 09:07 我认为两个MOS管这样的做还有一个很重要的做作用就防止电压电流倒灌.

防倒灌这个是很关键的一点!谢谢您的提醒!

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maychang 发表于 2022-4-22 17:02 『是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧』 是的。 单向控制,只能控 ...

前辈再请教一下,双向控制的本质是不是就是16楼小伙伴说的防倒灌作用呀?

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『双向控制的本质是不是就是16楼小伙伴说的防倒灌作用呀?』 此处使用双向控制,可能是因为此电路不允许电流自右向左流动(这在电路中看不出来,因为右边未画出)。但防倒灌,很难说是双向控制的 ”本质&ldquo  详情 回复 发表于 2022-4-23 10:30
 
 
 

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普拉卡图 发表于 2022-4-23 09:30 PowerAnts 发表于 2022-4-22 21:22 C1的作用是抑制开通时的浪涌电流,作为直流开关必备的,对于楼主选用 ...

这个三言两语说不清,就算录个视频也得整整一集才讲得清楚

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