艾克思科技 0~100A1200V MOS管综合特性测试仪 型号MOS-100A-MT

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艾克思科技 0~100A1200V MOS管综合特性测试仪 型号MOS-100A-MT [复制链接]

0~100A1200V MOS管综合特性测试仪  型号MOS-100A-MT

 

一 概述

   该综合测试仪在MOS-100A和HV-20KV-4的基础上进行开发研制，能够通过电脑操作完成大功率MOS的IGESR、IGESF、Vcesat、Vdsat、Vgth、Vces、Ices、Rds（on）性能测试，整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，方便操作使用。

二 应用范围

A：MOS、IGBT

B：NPN、PNP三极管

C：二极管

 

三 测试参数

类型	电压范围	电流范围	分辨率
Vds	0V~10V	0~100A	1mV
Vdsat	0V~10V	0~100A	1mV
IGSSR	0V~-20V	0~-2uA	1nA
IGSSF	0V~+20V	0~2uA	1nA
Vgth	0~10V	0~1000mA	1mV
BVdss	0~1200V	0~2mA	1V
RD(on)	0~10V	0~100A	0.0001Ω

IGBT

ICES	IGESF	IGESR	BVCES	VGETH	VCESAT	VF
漏电流	栅极漏电流		击穿电压	开启电压	导通压降	体内二极管导通压降

MOS

IDSS	IGSSF	IGSSR	VGSTH	VDSON	BVDSS	VF
漏电流	栅极漏电流		开启电压	导通电阻	击穿电压	体内二极管导通压降

DIODE                 稳压管                NPN PNP三极管

IR	BVR	VF		VZ	VCESAT		ICBO	ICEO	BVCES	HEF
漏流	电压	压降		稳压值	导通压降		集基漏电流	集射漏电流	耐压	放大倍数