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发表于2022-3-23 09:00 只看该作者

MOS的驱动电压问题 [复制链接]

大功率的MOS或IGBT的Vgs是不是关断时提供负电压，可以加快管子的关断速度？IGBT这种器件是不是需要“较大的驱动电流”(和MOS比较)？如果是IGBT的什么参数指标标明该参数，或是因为大功率的器件gs的电容较大，才需要较大的注入电流？

负压确实可以加快关断速度的，关于输入电流，影响最大的就是Ciss的电容值，这个电容同时还影响Qg的值，所以在选用晨，尽量选Ciss值小的，可以减少管子功耗。详情回复发表于 2022-3-23 12:48

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发表于2022-3-23 09:05 只看该作者

gs的电容较大是主要原因

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发表于2022-3-23 12:48 只看该作者

负压确实可以加快关断速度的，关于输入电流，影响最大的就是Ciss的电容值，这个电容同时还影响Qg的值，所以在选用晨，尽量选Ciss值小的，可以减少管子功耗。

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