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五彩晶圆(中级)

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MOS管参数如何理解 [复制链接]

 IRFB7734PBF参数
 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id):183A 功率(Pd):290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.7V@250μA
我理解的是:这MOS管,在Vgs电压为10V,Vds为75V时,DS的电阻为3.5mΩ,最大允许的电流是183A安培。其中的RDS(on)@Vgs为10V,这个电压是最小电压吗?如果大于10V会出现什么情况?导通电阻会继续减下吗?


 

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[attach]602043[/attach]  题主提出的问题一般是看DATASHEET的曲线图,上图是IRFB7734PBF的关于VGS和RDS(ON)的关系图,基本上可以看出10V以上,RDSON基本上没什么变化。通常,我们把大于3倍VTH的VGS的RDSON认为是不变的。   详情 回复 发表于 2022-4-24 11:04
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超级版主

沙发
 

『如果大于10V会出现什么情况?导通电阻会继续减下吗?』

实际Vgs大于10V,导通电阻会更小一点,但减小很有限,基本上可以说没有什么变化。

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一粒金砂(中级)

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我的理解是:“阈值电压(Vgs(th)@Id):3.7V@250μA”V,GS在3.7V时是漏极和源极导通的最小电压,此时Id的最大是250uA,S和D之间阻抗还是比较大的没什么意义。datasheet也是这么建议的当GS取10V时D和S极是最好的状态,Id最大支持100A。GS大于10V的话对于导通电阻基本没什么大变化,反而GS太大会烧坏管子(GS多大烧坏管子具体看规格书)。

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一粒金砂(初级)

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  题主提出的问题一般是看DATASHEET的曲线图,上图是IRFB7734PBF的关于VGS和RDS(ON)的关系图,基本上可以看出10V以上,RDSON基本上没什么变化。通常,我们把大于3倍VTH的VGS的RDSON认为是不变的。

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