hcs08系列单片机flash模拟eeprom函数问题

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hcs08系列单片机flash模拟eeprom函数问题 [复制链接]

问题现象描述:
在网上下载了下面这段代码拷到freeScale MC9S08DZ60单片机中，可以实现存储功能。但2片单片机在车上连续跑了2个礼拜后，存储功能完全消失。存储功能一点都不能记忆。
怀疑点有：芯片资料要求flash的时钟要确保在150k~200kHz之间。因为之前调试时200kHz不能实现存储功能，所以设置为2M,这样设置当时记忆没有问题。但想来，可能是设置为2M这个地方，让flash 的eeprom区失效。请教原因
请高手指点，急！！！


例程
/**********************EEPROM.C***********************/
/********作者：sly *************版本：1.0.0********/


＃include /* for EnableInterrupts macro */
＃include "derivative.h" /* include peripheral declarations */

#pragma DATA_SEG MY_ZEROPAGE
unsigned char RAM_CODE[60],pdata;
unsigned int faddr;


unsigned char Page_Erase(void)
{
  static unsigned char * paddr;
  
  if (FSTAT&0x10){                     //Check to see if FACCERR is set
        FSTAT = FSTAT | 0x10;            //write a 1 to FACCERR to clear
    }
   
   paddr=(unsigned char *)faddr;
   *paddr=0xff;
    FCMD="0x40";
    FSTAT = FSTAT | 0x80;                //Put FCBEF at 1.
    _asm NOP;                            //Wait 4 cycles
    _asm NOP;
    _asm NOP;
    _asm NOP;
    if (FSTAT&0x30){                     //check to see if FACCERR or FVIOL are set
    return 0xFF;                         //if so, error.
    }
    while ((FSTAT&0x40)==0){ }            //else wait for command to complete
   
    return 0x00;
    }
   
   

unsigned char Program_Byte(void)
{
  static unsigned char * paddr;
  
  if (FSTAT&0x10){                     //Check to see if FACCERR is set
        FSTAT = FSTAT | 0x10;            //write a 1 to FACCERR to clear
    }
   
   paddr=(unsigned char *)faddr;
   *paddr=pdata;
    FCMD="0x20";
    FSTAT = FSTAT | 0x80;                //Put FCBEF at 1.
    _asm NOP;                            //Wait 4 cycles
    _asm NOP;
    _asm NOP;
    _asm NOP;
    if (FSTAT&0x30){                     //check to see if FACCERR or FVIOL are set
    return 0xFF;                         //if so, error.
    }
    while ((FSTAT&0x40)==0){ }            //else wait for command to comple
    return 0x00;
}   


void write_eeprom(unsigned char *data,unsigned char length,unsigned int first_addr)
{
  static unsigned char i;
  static void (*funcPtr)();
  static unsigned char *src,*dest;
      
  funcPtr =Program_Byte;
  i=60;
  src= (unsigned char *) funcPtr;
  dest= (unsigned char *)&RAM_CODE[0];
  do {
   *dest++ = *src++;
   }
    while(--i);
   
     faddr="first"_addr;
      for(i=0; i< length; i++)
      {
         pdata=*data++;
         asm (jsr RAM_CODE ) ;
         faddr++;
         }  
}

void erase(void) {

    static unsigned char i;
  static void (*funcPtr)();
  static unsigned char *src,*dest;
    funcPtr =Page_Erase;
    src= (unsigned char *) funcPtr;
    dest= (unsigned char *)&RAM_CODE[0];
    i="60";
    do{
        *dest++ = *src++;
    }
    while(--i);   
    faddr="0xf800";   
    asm (jsr RAM_CODE ) ;       // do page erase
}

在对flash编程时注意要点：

1先擦除，再写入。

2擦除只有也擦除，所以修改一个存储单元的值时，要将所有的单元读入ram中，修改后，将所有单元重新写入。

3写flash的时钟要确保在150k~200kHz之间。

honguan

芯片还是好的咩？

dym77314029

引用 1 楼 lgy198612 的回复:
芯片还是好的咩？

芯片还是好的，其它控制正常，就是保存不行了

zxd10000

up

duanzhangshan

1. 这些地方都不对，为什么把一个字符串赋值给命令寄存器？
    FCMD="0x40";  -->FCMD = 0x040;
    FCMD="0x20";  -->FCMD = 0x020;

  faddr="first"_addr; //为什么要加引号？

2. 1也回答你前面的问题，芯片资料要求flash的时钟要确保在150k~200kHz之间，乖乖按芯片资料配置吧。

3. 可能还有别的问题....

wbq315

引用 4 楼 zyzhang365 的回复:
1. 这些地方都不对，为什么把一个字符串赋值给命令寄存器？
? ? FCMD="0x40";? -->FCMD = 0x040;
? ? FCMD="0x20";? -->FCMD = 0x020;

? faddr="first"_addr; //为什么要加引号？

2. 1也回答你前面的问题，芯片资料要求flash的时钟要确保在150k~200kHz之间，乖乖按芯片资料配置吧。

3. 可能还有别的问题....

这几点在程序里面之前就改过了

jasonb

那你现在的程序是什么样的

wenyang1986

顶

xiaoxiangjin

引用 6 楼 zyzhang365 的回复:
那你现在的程序是什么样的

现在的程序在公司,贴不出来，是参考上面代码改的，程序烧到设备后刚开始可以存储，其它功能也正常；中间存在偶然不能存储,但俩周后就不能存储了，但其它功能始终正常。

amw196209

up

二战幸存者

没有代码很难做出判断的啊，建议你贴出关键代码。

惆怅南楼

引用 10 楼 lgy198612 的回复:
没有代码很难做出判断的啊，建议你贴出关键代码。

up

shiminghu

保存不了，就是不能写入咯？？
如果之前能写入，现在不能写入，那就是flash挂了吧，擦写是有限制的。比如eeprom一般擦写在100w次，牛x的fram可以在10亿次以上。

大唐梦

引用 12 楼 mxm1986 的回复:
保存不了，就是不能写入咯？？
如果之前能写入，现在不能写入，那就是flash挂了吧，擦写是有限制的。比如eeprom一般擦写在100w次，牛x的fram可以在10亿次以上。

牛